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2N3055 Transistor erklärt: Funktionen und Verwendung

Wenn es um den 2N3055-Transistor geht, sehen Sie eine weit verbreitete und vielseitige Komponente an, die eine große Rolle bei elektronischen Schaltkreisen spielt.In diesem Artikel werden Sie in den 2N3055 vorgestellt, einschließlich seiner Funktionen, Verwendungsmöglichkeiten und der Art und Weise, wie er in verschiedene Anwendungen wie Stromschalt- und Verstärker passt.Unabhängig davon, ob Sie etwas Einfaches oder Komplexeres aufbauen, werden Sie ein klares Verständnis dafür erhalten, wie der 2N3055 funktioniert und warum es eine zuverlässige Wahl für eine Reihe von Projekten ist.

Katalog

Überblick über 2N3055

Der 2n3055 ist ein Silizium-NPN-Transistor, der unter Verwendung einer epitaxialen planaren Struktur gebaut wird.Es ist in ein Metallgehäuse bis 3 eingeschlossen, wodurch es für eine Reihe von Anwendungen langlebig ist.Sie können sich auf die Aufgaben mit 2n3055 verlassen, die Stromschalt-, Serien- und Shunt-Regulatoren, Ausgangsstufen und sogar Verstärker mit hohem Fidelität beinhalten.Sein ergänzender Teil, der MJ2955, ist ein PNP -Typ, der die beiden zusammen nützlich macht, wenn Schaltkreise sowohl NPN- als auch PNP -Transistoren erfordern.Die zuverlässige Leistung des 2N305 in diesen Bereichen beruht auf seiner Gestaltung und Konstruktion und sorgt dafür, dass er verschiedene Stromaufgaben effizient erledigt.

PIN -Konfiguration von 2N3055

PIN -Nummer	Pin -Name	Beschreibung
1	Basis (b)	Normalerweise als Auslöser verwendet, um den Transistor einzuschalten
2	Emitter (e)	Normalerweise mit dem Boden verbunden
Tab oder Fall	Sammler (c)	Normalerweise mit Last verbunden

CAD -Darstellung von 2n3055

2n3055 Symbol

2n3055 Fußabdruck

2N3055 3D -Modell

Merkmale des 2N3055

Mittelleistungstransistor

Der 2N3055 ist so ausgelegt, dass es mit mittlerer Leistungsstufen handelt, dh er kann eine moderate Menge an Energie ohne Überlastung verwalten.Diese Funktion macht es zu einer zuverlässigen Komponente für eine Vielzahl von Schaltungen, in denen Sie keine extrem hohe Leistung benötigen, aber dennoch etwas mehr als einen Transistor mit geringer Leistung benötigen.

Sicherer Betriebsbereich

Dieser Transistor arbeitet sicher innerhalb definierter Grenzen, was in verschiedenen Setups eine konsistente Leistung gewährleistet.Sie können darauf vertrauen, dass es stabil und zuverlässig bleibt, insbesondere wenn Sie an Projekten arbeiten, die einen stetigen, ununterbrochenen Betrieb erfordern.

Komplementäre Transistoren

Der 2N3055 verfügt über einen komplementären PNP -Transistor, den MJ2955, mit dem Sie Schaltungen entwerfen können, die sowohl NPN- als auch PNP -Transistoren benötigen.Dies gibt Ihnen Flexibilität, wenn Sie ausgewogene Schaltungskonstruktionen erstellen, bei denen beide Polaritäten für einen effizienten Betrieb erforderlich sind.

Niedrige Sammler-Emitter-Sättigungsspannung

Mit einer Sättigungsspannung mit niedriger Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung reduziert der 2N3055 die Spannungsmenge, die über den Transistor verloren gegangen ist, wenn es im "On" -Zustand ist.Dies verbessert die Effizienz durch Minimierung des Stromverlusts, was besonders bei leistungsempfindlichen Anwendungen nützlich sein kann.

Lead-freie Pakete

Wenn Sie sich über Umweltauswirkungen befassen, werden Sie zu schätzen wissen, dass der 2N3055 in Lead-Free-Paketen erhältlich ist.Dies macht es zu einer sichereren Option für Projekte, bei denen die Reduzierung schädlicher Materialien Priorität hat.

Gleichstromverstärkung (HFE) bis zu 70

Der Transistor bietet eine Gleichstromverstärkung (HFE) von bis zu 70, was bedeutet, dass die Eingangsströme effektiv verstärkt werden können.Dadurch eignet sich der 2N3055 für Anwendungen, bei denen eine starke aktuelle Verstärkung erforderlich ist, wodurch Sie mehr mit weniger Eingaben erzielen können.

Verbesserte Linearität

Die verbesserte Linearität des 2N3055 stellt sicher, dass sie in einer vorhersehbaren und konsistenten Weise arbeitet.Dies ist besonders vorteilhaft, wenn Sie es in Verstärkerschaltungen verwenden, bei denen Präzision und Stabilität für die Qualitätsleistung unerlässlich sind.

Maximale Spannung über Sammler und Emitter

Der 2N3055 kann zwischen dem Sammler und dem Emitter bis zu 60 V DC verarbeiten, wodurch der Nutzen in Schaltungen erweitert wird, die bei höheren Spannungen arbeiten.Auf diese Weise können Sie den Transistor in anspruchsvolleren Stromanwendungen verwenden, ohne sich über Spannungsbeschränkungen zu sorgen.

Maximaler Sammlerstrom

Mit einem maximalen Sammlerstrom von 15a ist der 2N3055 in der Lage, höhere Ströme zu verwalten, sodass er ideal für Stromanwendungen ist, bei denen größere Lasten gesteuert werden müssen.Diese aktuelle Fähigkeit stellt sicher, dass der Transistor anspruchsvollere Aufgaben erledigen kann, ohne beschädigt zu werden.

Maximale Spannung über Basis und Emitter

Der Transistor ist so konzipiert, dass er über die Basis und den Emitter von bis zu 7 V DC verarbeitet wird und Schutz gegen übermäßige Spannung bietet.Diese Funktion trägt zur Haltbarkeit des Transistors bei und hilft bei der Verhinderung des Ausfalls aufgrund von Überspannungsbedingungen in der Basis-Emitter-Überleitung.

Maximaler Basisstrom

Sie können einen Basisstrom von bis zu 7A DC auf den 2N3055 anwenden, was für Schaltungen hilfreich ist, bei denen ein höherer Basisantrieb erforderlich ist.Diese Fähigkeit ermöglicht mehr Flexibilität bei Ihren Designs, insbesondere bei größeren Lasten oder komplexeren Schaltungen.

Maximale Spannung über Sammler und Basis

Der 2N3055 kann zwischen dem Sammler und der Basis bis zu 100 V DC unterstützen, was ihn für Schaltungen geeignet macht, die eine höhere Spannungstoleranz erfordern.Diese Funktion stellt sicher, dass Sie sie sicher in einer Vielzahl von Hochspannungsanwendungen verwenden können.

Betriebstemperaturbereich

Dieser Transistor arbeitet in einem breiten Temperaturbereich von -65ºC bis +200 ° C.Dies bedeutet, dass Sie es in Umgebungen mit extremen Temperaturen verwenden können, ob heiß oder kalt, ohne sich über Leistungsprobleme aufgrund von Überhitzung oder Einfrieren zu sorgen.

Total Power Dissipation

Der 2N3055 kann bis zu 115 W auflösen, sodass er eine erhebliche Menge an Macht ohne Überhitzung bewältigen kann.Diese Funktion ist besonders nützlich für leistungsstarke Anwendungen, um sicherzustellen, dass der Transistor auch unter schweren Lasten kühl bleibt.

Technische Spezifikationen von 2n3055

Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und vergleichbare Teile im Zusammenhang mit der STMICROELECTRONICS 2N3055.

Typ	Parameter
Montieren	Fahrgestellhalterung durch Loch
Montagetyp	Chassis -Berg
Paket / Fall	To-204aa, to-3
Anzahl der Stifte	2
Gewicht	4.535924g
Transistorelementmaterial	SILIZIUM
Collector-Emitter-Breakdown-Spannung	60 V
Anzahl der Elemente	1
hfe min	20
Betriebstemperatur	200 ° C TJ
Verpackung	Tablett
JESD-609 Code	E3
Pbfree Code	Ja
Teilstatus	Veraltet
Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL)	1 (unbegrenzt)
Anzahl der Terminen	2
ECCN -Code	Ear99
Terminal Finish	Zinn (sn)
Spannung - DC bewertet	60 V
Max -Leistungsdissipation	115W
Endposition	UNTEN
Terminalform	Pin/Peg
Aktuelle Bewertung	15a
Basisteilnummer	2n30
Stiftanzahl	2
Stromspannung	60 V
Elementkonfiguration	Einzel
Aktuell	15a
Leistungsdissipation	115W
Fallverbindung	KOLLEKTOR
Transistoranwendung	Umschalten
Gewinne Bandbreitenprodukt	3MHz
Polarität/Kanaltyp	Npn
Transistortyp	Npn
Kollektoremitterspannung (VCEO)	60 V
Max -Sammlerstrom	15a
Gleichstromverstärkung (HFE) (min) @ IC, VCE	20 @ 4a 4v
Strom - Sammler Cutoff (max)	700 μA
VCE -Sättigung (max) @ ib, IC	3v @ 3,3a, 10a
Übergangsfrequenz	3MHz
MAX -Breakdown -Spannung	100V
Kollektorbasisspannung (VCBO)	100V
Emitterbasisspannung (VEBO)	7v
Vcesat-max	3 v
Höhe	8,7 mm
Länge	39,5 mm
Breite	26,2 mm
SVHC erreichen	Kein SVHC
Strahlenhärtung	NEIN
ROHS -Status	ROHS3 -konform
Frei führen	Frei führen

2N3055 Ersatzoptionen

Teilenummer	Beschreibung	Hersteller
BDX10	Power Bipolar Transistor, 15a I (C), 60 V V (BR) CEO, 1-Element, NPN, Silicon, bis-204AA, Metall, 2 Pin, hermetische Versiegelung, Metall, bis 3, 2 Pin	TT -Elektronikwiderstände
2n3055a	Bipolare Transistor der Leistung, 15a I (C), 60 V V (BR) CEO, 1-Element, NPN, Silicon, bis-204AA, Metall, 2 Pin, bis 3, 2 Pin	Motorola Semiconductor -Produkte
JantX2N3055	Transistor	Vishay -Hirelsysteme
2N3055R1	15a, 60 V, NPN, Si, Power Transistor, bis 204AA, Hermetikversiegelung, Metall, bis 3, 2 Pin	TT Electronics Power und Hybrid / Semelab Limited
2n3055g	15 a, 60 V NPN Bipolar Power Transistor, bis 204 (bis 3), 100-Ftray	Auf Halbleiter
2n3055e3	Bipolare Transistor der Leistung, 15a I (C), 60 V V (BR) CEO, 1-Element, NPN, Silicon, bis-204aa, Metall, 2 Pin	Microsemi Corporation
Jantxv2n3055	Bipolarer Transistor der Leistung, 15a I (c), 70 V V (BR) CEO, 1-Element, NPN, Silicon, bis 3, Metall, 2 Pin, bis 3, 2 Pin	Cobham Semiconductor Solutions
2n3055ar1	Power Bipolar Transistor, 15a I (C), 60 V V (BR) CEO, 1-Element, NPN, Silicon, bis-204AA, Metall, 2 Pin, hermetische Versiegelung, Metall, bis 3, 2 Pin	TT -Elektronikwiderstände
2N3055AG	15a, 60 V, NPN, SI, Power Transistor, bis 204AA, ROHS-konform, Fall 1-07, bis 3, 2 Pin	Rochester Electronics LLC
BDX10C	Bipolare Transistor der Leistung, 15a I (C), 60 V V (Br) CEO, 1-Element, NPN, Silicon, bis 3, Metall, 2 Pin	Crimson Semiconducto

Mit dem 2n3055

Der 2N3055 kann in jeder NPN -Transistor -Anwendung verwendet werden. Schauen wir uns jedoch ein einfaches Beispiel genauer an, um zu verstehen, wie er funktioniert.In diesem Fall verwenden wir den 2N3055 als grundlegendes Schaltgerät, um einen Motor zu steuern, und folgen nach einer gemeinsamen Emitterkonfiguration.

In der Schaltung dient der Motor als Last und eine 5 -V -Quelle liefert das Signal, um den Transistor einzuschalten.Ein Knopf fungiert als Trigger, und damit die Schaltung funktioniert, müssen sowohl die Triggerquelle als auch die Stromquelle eine gemeinsame Grundlage teilen.Sie verwenden auch einen 100-Ohm-Widerstand, um den in die Basis des Transistor fließenden Stroms zu begrenzen.

Wenn die Taste nicht gedrückt wird, fließt kein Strom in die Basis des Transistors.In diesem Zustand fungiert der Transistor als offener Stromkreis, was bedeutet, dass sich die volle Versorgungsspannung V1 über den Transistor befindet.

Wenn Sie die Taste drücken, erstellt der Spannung V2 eine geschlossene Schleife mit der Basis und dem Emitter des Transistors.Dadurch kann der Strom in die Basis fließen und den Transistor einschalten.In diesem Zustand wirkt der Transistor wie ein Kurzschluss und lässt den Strom durch den Motor fließen, wodurch er sich dreht.Der Motor wird sich weiter drehen, solange der Basisstrom vorhanden ist.

Sobald Sie die Taste loslassen, stoppt der Basisstrom und schaltet den Transistor aus.Im Außenzustand kehrt der Transistor in seinen hochrangigen Zustand zurück, stoppt den Sammlerstrom und lässt auch den Motor anhalten.

Dieses Beispiel zeigt, wie der 2N3055 als Schaltsystem verwendet werden kann, um einen Motor mit einem einfachen Druckknopf zu steuern.Sie können diese Methode mit dem 2N3055 auf andere Schaltungen anwenden.

Anwendungen des 2N3055

Stromschaltungsschaltungen

Der 2N3055 ist ideal für die Verwendung in Stromschaltkreisen.Die Fähigkeit, mittelschwerer und hoher Strom zu handhaben, macht es zu einer geeigneten Wahl zum effizienten Umschalten großer Lasten.Egal, ob Sie einen einfachen Schaltkreis oder etwas Komplexeres erstellen, dieser Transistor kann die Aufgabe zuverlässig übernehmen.

Verstärkerschaltungen

In Verstärkerschaltungen leuchtet der 2N3055 aufgrund seines guten Stromgewinns und seiner verbesserten Linearität.Dies macht es zu einer guten Wahl, wenn Sie Signale mit minimaler Verzerrung verstärken möchten, um sicherzustellen, dass die Ausgabe klar und konsistent ist.Egal, ob Sie mit Audiosignalen oder anderen Verstärkungsarten arbeiten, dieser Transistor hat eine gute Leistung.

PWM -Anwendungen

Bei Verwendung in PWM-Anwendungen (Pulse-Width Modulation) wirkt der 2N3055 als zuverlässiger Schalter.Die Fähigkeit, hohe Ströme zu bewältigen, bedeutet, dass die in PWM -Setups benötigten Schaltungsschaltanlagen effizient verwaltet werden können, um einen reibungslosen Betrieb in Anwendungen wie Motorsteuerung oder Stromverordnung sicherzustellen.

Regulierungsschaltungen

Der 2N3055 passt hervorragend zu Reglerschaltungen, wo er die Spannung in Ihrem System verwaltet und steuern kann.Durch die Aufrechterhaltung stabiler Ausgangsspannungen hilft es, empfindliche Komponenten vor Spannungsschwankungen zu schützen und die Langlebigkeit und Zuverlässigkeit Ihrer Entwürfe zu gewährleisten.

Schaltmodus-Netzteile

Sie können den 2N3055 in Switch-Mode-Netzteilen (SMPs) verwenden, wobei die Fähigkeit, hohe Ströme und Spannungen zu bewältigen, eine solide Wahl für die effiziente Verwaltung von Strom macht.Egal, ob Sie eine Hochleistungsversorgung oder etwas bescheideneres bauen, der 2N3055 sorgt für eine effiziente Energieumwandlung.

Signalverstärker

Bei der Signalamplifikation kann der 2N3055 schwächere Signale wirksam steigern.Dies macht es in Anwendungen wie Audio- oder Funkfrequenzverstärkung nützlich.Die gute Linearität und der Stromgewinn des Transistors stellen sicher, dass das amplifizierte Signal ohne signifikante Qualitätsverlust klar und stark bleibt.

2n3055 Abmessungen

To-3 mechanische Informationen

Düster.	mm (min.)	mm (typ.)	mm (max.)	Zoll (min.)	Zoll (Typ.)	Zoll (max.)
A	11	- -	13.1	0,433	- -	0,516
B	0,97	1.15	- -	0,038	0,045	- -
C	1.5	- -	1.65	0,059	- -	0,065
D	8.32	- -	8.92	0,327	- -	0,351
E	19	- -	20	0,748	- -	0,787
G	10.7	- -	11.1	0,421	- -	0,437
N	16.5	- -	17.2	0,649	- -	0,677
P	25	- -	26	0,984	- -	1.023
R	4	- -	4.09	0,157	- -	0,161
U	38,5	- -	39.3	1,515	- -	1,547
V	30	- -	30.3	1.187	- -	1.193

Hersteller des 2N3055

Der 2N3055 wird von STMICROELECTRONICS, einem etablierten Unternehmen in der Halbleiterindustrie, hergestellt.STMICROELECTRONICS ist dafür bekannt, dass sie heute Halbleiterlösungen bereitstellt, die heute in vielen elektronischen Geräten und Systemen verwendet werden.Mit ihrem Know-how zur Gestaltung und Herstellung von Komponenten auf Siliziumbasis können sie zuverlässige Produkte herstellen, die für verschiedene Anwendungen verwendet werden.Unabhängig davon, ob Sie etwas Kleines oder Großes aufbauen, sind die Produkte von STMICROELECTRONICS so konzipiert, dass sie eine konsistente Leistung liefern, und ihr Wissen in der Halbleitertechnologie trägt dazu bei, die Fortschritte vor Ort voranzutreiben.

Datenblatt PDF

2N3055 Datenblatt:

2n3055.pdf

2N3055G Datenblatt:

2n3055g.pdf

Häufig gestellte Fragen [FAQ]

1. Was ist der 2N3055 -Transistor?

Der 2N3055 ist ein Silizium-NPN-Leistungstransistor, der für allgemeine Anwendungen verwendet wird.Es wurde erstmals in den frühen 1960er Jahren von RCA eingeführt.Zunächst verwendete es einen Hometaxialprozess, wurde jedoch später in den 1970er Jahren auf einen epitaxialen Basisprozess aufgerüstet.Sein Name folgt dem JEDEC -Nummerierungssystem und ist aufgrund seiner Vielseitigkeit seit Jahrzehnten beliebt.

2. Welche Rolle spielt der 2N3055 -Transistor in einer Schaltung?

Der 2N3055 ist ein allgemeiner NPN-Leistungstransistor, der mit dem epitaxialen Grundprozess hergestellt und in einem versiegelten Metallgehäuse untergebracht ist.Es ist für verschiedene Aufgaben ausgelegt, einschließlich des Schaltens und Verstärkungssignals in elektronischen Schaltkreisen.Sie können es je nach den Anforderungen Ihres Projekts in verschiedenen Konfigurationen verwenden.

3. Warum wird der 2N3055 in einem Spannungsregler verwendet?

Der 2N3055 wird üblicherweise in einem 12 -V -DC -Reglerkreis als Serienspannungsregler verwendet.Dies bedeutet, dass der Laststrom in Reihe durch den Transistor fließt.In einer Reglerschaltung können Sie beispielsweise eine nicht regulierte Gleichstromversorgung von 15 V bis 20 V eingeben, und der 2N3055 hilft bei der Last einen stabilen 12 -V -Ausgang.

4. Was macht ein Transistor?

Ein Transistor, auch als Bipolar Junction Transistor (BJT) bekannt, ist ein Halbleitervorrichtung, das den Strom des elektrischen Stroms steuert.Durch die Anwendung eines kleinen Stroms auf die Basisliege können Sie einen größeren Strom zwischen Kollektor und Emitter steuern, sodass der Transistor als Schalter oder Verstärker in einer Schaltung fungieren kann.