Der IRLML6402 ist ein P -Kanal -Hexfet -MOSFET, das zum Funktionieren von -20 V entwickelt wurde.Es ist in ein schlankes und minimales Micro3 (SOT-23) -Paket eingeschlossen.Dieses MOSFET verfügt stolz auf eine beeindruckend niedrige Aufnahme im Verhältnis zu seinen kompakten Abmessungen sowie die Funktionen der Resilienz und der schnellen Switching-Funktionen.Diese Elemente machen das MOSFET zu einer vielseitigen Option zur Verbesserung der Effizienz und der Zuverlässigkeit in einer Vielzahl von Kontexten wie Batterieverwaltung, tragbaren Geräten, PCMCIA -Karten und kompakten Druckschaltkarten.
Die hochmodernen Herstellungstechniken nach internationalem Gleichrichter erreichen eine außergewöhnliche Verringerung der Vorbeständigkeit.Diese Funktion, kombiniert mit dem für HexFET® MOSFETS typischen Switching- und Rostfad -Design, bietet ein wertvolles Mittel für die Leistung und das Lastmanagement auf zahlreichen Geräten.Das MICRO3-Paket mit seinem thermisch optimierten Bleirahmen stellt sicher, dass es die kleinste Fußabdruck der Branche und die perfekt passenden räumlich begrenzten Anwendungen einnimmt.Das niedrige Profil, das unter 1,1 mm misst, berücksichtigt die schlankesten elektronischen Konstruktionen und bietet gleichzeitig eine überlegene thermische Leistung und Energieverwaltung.
In den tatsächlichen Szenarien belegt der IRLML6402 seinen Wert in Batteriemanagementsystemen, indem er die Langlebigkeit der Batterie durch minimierte Stromverlust verbessert.Ebenso in tragbaren Geräten spielen die minimale Größe und die effektive Leistung eine Rolle bei der Verlängerung der Lebensdauer und der Zuverlässigkeit.Für diejenigen, die am Design des elektronischen Systems beteiligt sind, kann die Integration solcher Komponenten den Workflow erheblich erleichtern und sicherstellen, dass Geräte innerhalb idealer thermischer Parameter funktionieren.
Besonderheit |
Beschreibung |
Typ |
P-Kanal-Mosfet |
Paket |
SOT-23-Fußabdruck |
Profil |
Low Profile (<1.1mm) |
Verpackung |
Erhältlich in Klebeband und Rolle |
Umschalten |
Schnelles Umschalten |
Einhaltung |
Bleifrei, halogenfrei |
Drain-to-Source-Spannung (VDS) |
-20V |
Gate-to-Source-Spannung (VGS) |
± 12 V |
On-Resistenz (RDS (ON)) |
80 mΩ bei VGS -2,5 V |
Leistungsdissipation (PD) |
1,3 W bei 25 ° C. |
Kontinuierlicher Abflussstrom (ID) |
-3.7a bei VGS -4,5 V und 25 ° C |
Temperaturbereich des Betriebsübergangs |
-55 ° C bis 150 ° C. |
Thermischer Dermisfaktor |
0,01W/° C. |
Infineon -Technologien IRLML6402TR Spezifikationen und Attribute Tabelle.
Typ |
Parameter |
Montagetyp |
Oberflächenhalterung |
Paket / Fall |
To-236-3, sc-59, SOT-23-3 |
Oberflächenhalterung |
JA |
Transistorelementmaterial |
SILIZIUM |
Strom - kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ℃ |
3.7a ta |
Anzahl der Elemente |
1 |
Betriebstemperatur (max.) |
150 ° C. |
Verpackung |
Klebeband (CT) schneiden |
Serie |
Hexfet® |
Veröffentlicht |
2003 |
JESD-609 Code |
E3 |
Teilstatus |
Veraltet |
Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL) |
1 (unbegrenzt) |
Anzahl der Terminen |
3 |
ECCN -Code |
Ear99 |
Terminal Finish |
Matte Dose (sn) |
Zusätzliche Funktion |
Hohe Zuverlässigkeit |
Endposition |
DUAL |
Terminalform |
Möwenflügel |
Peak -Reflow -Temperatur (CEL) |
260 |
Zeit @ Peak Reflow Tempow-Max (s) |
30 |
JESD-30-Code |
R-PDSO-G3 |
Qualifikationsstatus |
Nicht qualifiziert |
Konfiguration |
Single mit eingebauter Diode |
Betriebsart |
Verbesserungsmodus |
FET -Typ |
P-Kanal |
Transistoranwendung |
Umschalten
|
Rds on (max) @ id, vgs |
65mΩ @ 3,7A, 4,5 V |
Vgs (th) (max) @ id |
1,2 V @ 250 μA |
Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds |
633PF @ 10V |
Gate Ladung (QG) (max) @ vgs |
12nc @ 5v |
Abtropfen Sie zur Quellspannung (VDSS) |
20V |
JEDEC-95 CODE |
To-236ab |
Drainstrommax (ABS) (ID) |
3.7a |
Drain-Source auf Widerstandsmax |
0,065 Ω |
Gepulster Abflussstrommax (IDM) |
22a |
DS-Breakdown-Spannung |
20V |
Avalanche Energy Rating (EAS) |
11 mj |
Leistungsdissipationsmax (ABS) |
1.3W |
ROHS -Status |
Nicht-ROHS-konform |
Im Bereich der digitalen Geräte von 3C (Computer, Kommunikation, Verbraucher) verbessert der IRLML6402 die Energieeffizienz und die Reaktionsfähigkeit der Geräte intensiv.Smartphones, Laptops und Digitalkameras hängen beispielsweise von Niederspannungstransistoren ab, um die Akkulaufzeit zu steigern und die Leistung zu optimieren.Dies führt zu verbesserten Erlebnissen, die sich in den nahtlosen Multitasking-Funktionen heutiger Geräte offenbaren.Die Erfahrung hat gezeigt, dass die Hersteller durch strategische Komponentenauswahl eine Harmonie zwischen Stromverbrauch und Haltbarkeit der Geräte erreichen.
In der medizinischen Elektronik zeichnet sich der IRLML6402 für seine Zuverlässigkeit und Präzision aus.Instrumente wie tragbare Ultraschallgeräte und Patientenüberwachungssysteme erfordern präzise Messwerte unter variablen Lasten, wobei eine stabile Stromversorgung von entscheidender Bedeutung ist.Erkenntnisse aus praktischen Anwendungen zeigen, dass die Verwendung von stabilen Komponenten nicht nur die Gerätefunktionen verbessert, sondern auch das Vertrauen in medizinische Fortschritte fördert.
Das Internet der Dinge ist die Umgestaltung von Technologielandschaften, wobei der IRLML6402 eine wichtige Rolle spielt.Wenn IoT -Geräte in Smart Homes und Branchen multiplizieren, wird ein effizientes Energiemanagement zu einem Muss.Diese Komponente senkt den Energieverbrauch und verbessert die Konnektivität und Reaktionsfähigkeit.Beobachtungen legen nahe, dass eine zusammenhängende Strategie für den Energieverbrauch neben innovativen Designgeräten, die nicht nur wirksam sind, sondern auch die Nachhaltigkeit fördern, fördert.
In neuen Energielösungen wie Solar -Wechselrichtern und Windkraftanlagen hilft der IRLML6402 bei wirksamer Energieumwandlung und -management.Wenn sich die Welt zu erneuerbaren Energien neigt, kann die Verwendung von Geräten, die Stromverluste minimieren, den Übergang beschleunigen.Praktische Erkenntnisse deuten darauf hin, dass die Steigerung der Systemeffizienz erheblich zur Energieeinsparung und zur Zuverlässigkeit von Energie beiträgt und die Rolle solcher Komponenten bei der Nachhaltigkeitsbemühungen hervorhebt.
Die Kompatibilität des IRLML6402 mit verschiedenen Batteriesystemen wie Lithium-Ion und Nickel-Metal-Hydrid ist bemerkenswert.Es ist nützlich für Batteriemanagementsysteme, die eine präzise Steuerung über Lade- und Entladungsprozesse benötigen.Tatsächliche Szenarien unterstreichen die Bedeutung der Auswahl geeigneter Transistoren für die Verlängerung der Akkulaufzeit und die Gewährleistung der Sicherheit.Genau dieses Verständnis für die Batterie -Technologie fördert die Designauswahl, die zu einer verbesserten Leistung und Erfüllung Ihrer Erwartungen führen.
Für das Lastmanagement bietet der IRLML6402 bemerkenswerte Vorteile bei der Kontrolle der Stromverteilung über die Schaltkreise hinweg.Es erleichtert eine effiziente Energiezuweisung und vermeidet Systemüberladungen und verhindert so Fehler.Erkenntnisse aus Energieverteilungssystemen zeigen, dass das strategische Lastmanagement die Resilienz des Gesamtsystems verbessert und die Fähigkeit der Komponente zur Unterstützung einer ausgewogenen Energieverteilung zeigt.
In tragbaren Elektronik ermöglicht das Leicht- und Kompaktdesign des IRLML6402 innovative Produktkonfigurationen, ohne die Leistung zu beeinträchtigen.Wearables und tragbare Ladegeräte profitieren von schnellen Schaltfunktionen, die im Verbrauch niedrigerer Stromverbrauch gipfeln.Designerlebnisse zeigen, dass die Beschäftigung mit Ihren Vorlieben eine optimale Auswahl und Anordnung der Komponenten innerhalb von Produkten steuern kann.
In PCMCIA -Kartenanwendungen steigert die IRLML6402 -Konnektivitätsoptionen und hält gleichzeitig die minimale Leistungsauslastung bei.Diese Flexibilität ist aktiv für Geräte, die eine hohe Bandbreite und Anpassungsfähigkeit fordern.Die kontinuierliche Weiterentwicklung der Kommunikationstechnologie erfordert Komponenten, die mit schnellem Fortschritt Schritt halten können und den Vorteil der Auswahl der weisen Komponenten veranschaulichen.
Für platzbewusste Leiterplatten-Designs ist der IRLML6402 angesichts der Prämie für Immobilien meistens geeignet.Seine Effizienz ermöglicht höhere Leistungsdichten, eine Notwendigkeit in der kompakten Elektronik.Die Anpassung der Layouts für die Leiterplatte zeigt, dass eine sorgfältige Planung und Komponentenauswahl kleinere, leistungsfähigere Geräte ohne Kompromisse erbringen können.
In DC -Schaltanwendungen zeichnet sich durch die IRLML6402 aus, indem sie schnelle und zuverlässige Schaltlösungen anbieten.Seine Betriebsmerkmale können dazu führen, dass überlegene Schaltungsdesigns sowohl Geschwindigkeit als auch Effizienz verbessern.Feldbeobachtungen legen nahe, dass das Verständnis der Schaltanforderungen die Schaffung von Schaltkreisen ermöglicht, die Ihren Erwartungen entsprechen und gleichzeitig die betriebliche Wirksamkeit maximieren.
Die Rolle des IRLML6402 beim Lastschalter unterstreicht seine Flexibilität.Es sorgt für eine effektive Kontrolle über die Leistungsverteilung in verschiedenen Systemen, die für die Systemintegrität aktiv sind.Branchenanekdoten zeigen, dass die Optimierung der Lastschaltung zu erheblichen Energieeinsparungen und einer verlängerten Lebensdauer der Geräte führen kann, wodurch die Bedeutung der zeitgenössischen Elektronik verstärkt wird.
Am 1. April 1999 erlebte Siemens -Halbleiter ein transformatives Rebranding, das den Namen Infineon Technologies übernahm.Diese Verschiebung war ein erhebliches Engagement für die Wettbewerbsfähigkeit in der sich ständig weiterentwickelnden Mikroelektroniklandschaft.Infineon hat sich als prominenter Designer und Hersteller herausgestellt und ein vielfältiges Portfolio von Produkten präsentiert, die für verschiedene Anwendungen gefertigt wurden, einschließlich Logikgeräte, gemischter Signal- und analoge integrierte Schaltkreise und diskrete Halbleiterangebote.
Der Mikroelektroniksektor wird durch einen konstanten Innovationszyklus definiert, der durch die steigende Nachfrage nach fortschrittlichen elektronischen Lösungen zurückzuführen ist.Infineon zeigt ein akutes Bewusstsein für die aktuelle Marktdynamik und konzentriert sich auf ernsthafte Wachstumsegmente wie Automobilelektronik, industrielle Automatisierung und das Internet der Dinge (IoT).Unternehmen, die aufkommende Technologien, einschließlich KI und maschinelles Lernen, effektiv nutzen, befinden sich oft in einer vorteilhaften Position, um sich zu entwickeln und zu gedeihen.Die gezielten Investitionen von Infineon in Forschung und Entwicklung sind ein Beweis für sein Ehrgeiz, die Anklage bei der Schaffung von Halbleiterinnovationen der nächsten Generation zu leiten.
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