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Beherrschen des BFW10 30V N-Kanal JFET

In der Welt der elektronischen Komponenten fällt der BFW10 N-Kanal-JFET-Transistor als vielseitiges Gerät für die Signalverstärkung und -schaltung auf.Dieser Transistor basiert auf einer robusten Halbleitertechnologie und bietet eine effiziente Kontrolle des Stromflusses durch seine Gate-, Quelle und Abflussanschlüsse, wodurch er ideal für Anwendungen ist, bei denen Präzision und niedrige Rauschen wesentlich sind.Sein einzigartiges Design, das einem "Wasserhahn" für den Elektronenfluss ähnelt, sorgt für eine genaue Handhabung des Signals, Verbesserung der Audioklarheit, der Signalmodulation und der Frequenzschwingung.Mit Anwendungen von Audioverstärkung bis hin zu FM- und TV -Empfängern ist die Anpassungsfähigkeit des BFW10 in verschiedenen Schaltkreisen eine wertvolle Wahl für Sie, um eine zuverlässige Leistung in elektronischen Systemen zu suchen.

Katalog

BFW10 N-Kanal-JFET-Übersicht

Das aus Halbleitermaterial erstellte BFW10 ist ein vielseitiger N-Kanal-JFET-Transistor, der für die Verstärkung und das Umschalten von Signalen und Leistung entwickelt wurde.Es wird über mindestens drei Klemmen mit externen Schaltungen verbunden und verwaltet den Stromfluss, indem die Spannung oder den Strom zwischen ihnen eingestellt wird, wodurch der Eingang auf einen größeren Ausgang verstärkt wird.Der Betrieb der N-Kanal-JFET-Achsen auf dem Steuerstrom mit einem elektrischen Feld.Hier spielt das Gate -Terminal eine wichtige Rolle, ähnlich wie bei einem Wasserhahn -Regulationselektronenfluss zwischen Quelle und Abfluss, wodurch die effiziente Signalverstärkung des Transistors ermöglicht wird.

Pinout

BFW10 Maximale Bewertungen

Parameter	Symbol	Wert	Einheit
Drain-Source-Spannung	VDS	30	VDC
Drain-Gate-Spannung	Vdg	30	VDC
Rückwärtsgate-Source-Spannung	VGSR	-30	VDC
Vorwärtsgatestrom	IGF	10	MADC

Technische Spezifikationen

Typ	Parameter
Oberflächenhalterung	NEIN
Betriebstemperatur (max.)	175 ° C.
Compliance -Code erreichen	Not_Compliant
Polarität/Kanaltyp	N-Kanal
FET -Technologie	KREUZUNG
Leistungsdissipationsmax (ABS)	0,25W
ROHS -Status	Nicht-ROHS-konform

Eigenschaften

Besonderheit	Spezifikation
Geben Sie den Bezeichner ein	BFW10
Art des Transistors	Jfet
Art des Kontrollkanals	N-Kanal
Maximale Leistungsabteilung (PD)	0,3 w
Maximale Drain-Source-Spannung (VDS)	30 v
Maximale Gate-Source-Spannung (VGS)	30 v
Maximaler Abflussstrom (ID)	0,01 a
Maximale Anschlusstemperatur (TJ)	150 ° C.
Maximale Drain-Source On State Resistenz (RDS)	500 Ohm
Paket	To-72

Anwendungen

Der BFW10 arbeitet als hoch anpassungsfähiger Spannungswiderstand.Es wird in OP-Ampern verwendet, um Verstärkung und Frequenzgang anzupassen und die gewünschte Ausgabe zu gewährleisten.Bei Toncontrollern wird die Audioausgabe genau angepasst, indem die Frequenzniveaus geändert und Klarheit und Gleichgewicht verbessert werden.Bei Einbeziehung in logische Schaltkreise ist der BFW10 der Schlüssel zur Verwaltung von Signalwegen und Spannungsniveaus und beeinflusst die Entscheidungsdynamik der Schaltung.

Innerhalb von FM- und TV -Empfängersystemen spielt der BFW10 eine aktive Rolle bei Mixern.Es mischt Signale über verschiedene Frequenzen hinweg und erleichtert eine reibungslose Demodulation und verbessert die Signalklarheit.Diese Komponente ist maßgeblich zur Reduzierung von Interferenzen, eine häufige Hürde bei der Signalverarbeitung.Sie können sich häufig auf die Genauigkeit verlassen, um eine klare Übertragung beizubehalten und ein breites Verständnis der Wechselwirkungen mit elektronischen Komponenten zu demonstrieren.

Schaltpläne

Äquivalente

• PTF10149

• RJK0234DNS

• SPP100N06S2-05

• SPB100N06S2-05

• SSM5N03FE

• STK0260D

• SWD5N65K

• VN10KLS

• BS170

• BFW11

• CS3N20ath

• FHP3205

• FS10KM-12

• FS10KM-2

• FTP50N20R

• JCS12N65T

• JCS12N65CT

Verwendung von JFET -Transistoren

JFETs oder "Junction Field-Effect-Transistoren" spielen eine wichtige Rolle bei elektronischen Schaltkreisen, die für ihre charakteristischen Eigenschaften geschätzt wurden.Im Gegensatz zu MOSFets enthalten JFETs kein Gateoxid, was zu einem höheren Gate -Strom führt.Diese Funktion bietet genaue Vorteile in bestimmten Situationen, insbesondere wenn subtile Leistungsunterschiede erforderlich sind.Das Design von JFETs ist auf Aufgaben zugeschnitten, bei denen die Verstärkung mit geringer Nutzung hervorgehoben wird.Ihre Struktur, ohne das Toroxid, erleichtert spezifische Vorteile und erhöht sie in Bereichen, die einen ruhigen Betrieb erfordern.

Verstärkung mit niedriger Nutzung

In Umgebungen, in denen Sensitivität das Leistungszentrum ist, glänzen JFETs durch Reduzieren von 1/F -Rauschen, eine Herausforderung, die häufig bei niedrigen Frequenzen vorhanden ist.Ihre Eignung für Präzisionsinstrumente und analoge Signalverarbeitung ist gut erkannt.Sie können häufig JFETs für eine außergewöhnliche Rauschhandhabung in Audioausrüstung und präzisen Messwerkzeugen auswählen.

Als große Widerstände wirken

JFETs im Depletionsmodus dienen als wesentliche Widerstände, die zu ihren MOSFET -Gegenstücken analog sind.Ihre Rolle bei Anwendungen wie analogen Schalter, die einen stabilen Widerstand erfordern, wird anerkannt.Diese Fähigkeit findet einen praktischen Ausdruck in spannungsgesteuerten Widerständen und verbessert Designs bei Dämpfungsgebern und Mixern.

Abmessungen

Hersteller

Texas Instruments mit Hauptsitz in Dallas, Texas, spielt eine Schlüsselrolle im Halbleiter und in der integrierten Schaltungsbranche.Sie sind fest in technologischen Innovationen verwurzelt und führen konsequent Fortschritte und verändern unsere Wechselwirkungen mit elektronischen Geräten.Ihre umfassende globale Präsenz bietet eine Vielzahl von Komponenten, die in einer Vielzahl von Anwendungen Nützlichkeit finden.

Ein bemerkenswertes Angebot von Texas Instruments ist das BFW10, das ihr Engagement für die Bereitstellung von Qualität und Zuverlässigkeit veranschaulicht.Ihre unterschiedliche Produktlinie zeigt eine Eignung, um komplexe Anforderungen in verschiedenen Sektoren wie Unterhaltungselektronik und Automobilsystemen zu befriedigen.Diese Produktentwicklung zeigt nicht nur die technologische Entwicklung, sondern auch die konkreten Vorteile einer verbesserten Leistung und Effizienz.