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ZuhauseBlogSTP55NF06 Power MOSFET -Handbuch: Pinout, Spezifikationen und Alternativen
auf 2024/10/30 152

STP55NF06 Power MOSFET -Handbuch: Pinout, Spezifikationen und Alternativen

In diesem Artikel befassen wir uns mit den Fähigkeiten und Anwendungen des STP55NF06 MOSFET, einem robusten N-Kanal-Power-MOSFET, das für seine Effizienz und Anpassungsfähigkeit in hochdarstellenden Schaltungen gut angesehen ist.Dieses MOSFET ist für seine geringe Aufnahmeregelung und schnelle Schaltgeschwindigkeit bekannt und ist ein Vorteil in leistungsempfindlichen Systemen wie Motorcontrollern und Netzteilen.Mit der Fähigkeit, eine 60-V-Drain-Source-Spannung und kontinuierliche Ströme von bis zu 55A zu bewältigen, ist der STP55NF06 ideal für Leistungsintensive Anwendungen und bietet ein effizientes thermisches Management und Zuverlässigkeit über verschiedene Betriebsbedingungen hinweg.Von Automobilsystemen bis hin zu Anwendungen für erneuerbare Energien ermöglicht das vielseitige Design des STP55NF06 MOSFET eine verbesserte Leistung, Energieeffizienz und verbesserte Systemdauer.

Katalog

1. Verständnis des STP55NF06
2. PIN -Konfiguration
3. CAD -Modell
4. Features
5. Anwendungen
6. Testschaltung
7. Nutzung des STP55NF06 MOSFET
8. Technische Spezifikationen
9. Vergleichbare Komponenten
10. Paket
11. Hersteller
STP55NF06 Power MOSFET Guide: Pinout, Specifications, and Alternatives

Verständnis des STP55NF06

Der STP55NF06 ist ein hochkarätiges N-Kanal-MOSFET, das sich für den Umgang mit erheblichen Stromströmen und das Ermöglichen von Swift-Schaltaktionen bemerken kann.Es zeigt eine beeindruckende Effizienz aufgrund seines geringen Anteils.Das Gerät beginnt die Leitung mit einer Gate-Spannung von 10 V und erreicht bei 20 V die maximale Effizienz, wodurch sie als starker Kandidat für den Betrieb von Hochleistungslasten positioniert wird.Die Gate -Schwelle von 4V stellt sicher, dass es gut mit Mikrocontrollern funktioniert, aber es erreicht das Beste mit 10 V und unterstützt kontinuierliche Strom von bis zu 27A.Um reibungslos in Mikrocontroller zu integrieren, ist die Beteiligung einer Treiberschaltung oder eines MOSFET auf Logikebene wie dem 2N7002 ratsam.Der lobenswerte Frequenzgang des Geräts macht es für DC-DC-Wandler an.

In Anwendungen mit MOSFETs wie dem STP55NF06 ist das korrekte Erde des Gate erforderlich, um eine unbeabsichtigte Auslösen zu vermeiden.Da MOSFETs basierend auf der Spannung aktivieren und deaktivieren, wird das Mastering -Spannungsmanagement beharrlich.Sie können häufig zusätzliche Schutzmaßnahmen wie Zenerdioden einbeziehen, um die Gate -Spannung und den Abschirm gegen Spannungsflächen zu stabilisieren.

Die erfolgreiche Integration in Mikrocontroller erfordert die strategische Bereitstellung von Fahrerschaltungen.Diese Schaltungen befassen sich mit den Unterschieden zwischen der Ausgangsspannung des Mikrocontrollers und den Anforderungen des MOSFET -Gate.Ein gemeinsamer Ansatz verwendet einen Niveau-verändernden Treiber, um diese Lücke zu schließen, um eine nahtlose Wechselwirkung zwischen den Komponenten zu gewährleisten.

PIN -Konfiguration

STP55NF06 Pinout

CAD -Modell

Symbol

STP55NF06 Symbol

Fußabdruck

STP55NF06 Footprint

3D -Modell

STP55NF06 3D Model

Merkmale

Besonderheit
Spezifikation
MOSFET -Typ
N-Kanal
Kontinuierlicher Abflussstrom (ID)
35a
Gepulster Abflussstrom (ID-Peak)
50a
Abtropfen Sie zur Quellspannung (VDS)
60 V
Quellwiderstand abtropfen (RDS)
0,018 Ω
Gate-Schwellenspannung (VGS-TH)
20 V (max)
Anstiegszeit
50 ns
Fallzeit
15 ns
Eingangskapazität (CISS)
1300 Pf
Ausgangskapazität (Coss)
300 Pf
Paketart
To-220

Anwendungen

Elektrische Servolenkung (EPS)

Elektrische Servolenkungssysteme in modernen Fahrzeugen verbessern sowohl Präzision als auch Komfort beim Fahren.Das STP55NF06 MOSFET spielt eine bemerkenswerte Rolle bei der Optimierung der Stromverbrauch und der Reaktionszeit und trägt damit zu diesen Verbesserungen bei.Die Fahrer berichten häufig über eine greifbare Verringerung des Kraftstoffverbrauchs, da EPS -Systeme selektiv Strom zeichnen und sich erheblich beeinflussen.

Anti-Lock-Bremssystem (ABS)

Innerhalb von ABS bietet der STP55NF06 einen schnellen und effizienten Schalter, der zur optimalen Bremsregelung verwendet wird.Seine hohen Temperatur-Resilienz- und schnellen Schaltkapazitäten sind in Notfällen besonders von Vorteil.Tests zeigen konsequent eine verbesserte Sicherheit durch Verhinderung von Radsperrungen, was deren Wirksamkeit bestätigt.

Wischersteuerungssysteme

In Wischersteuerungssystemen ist der STP55NF06 für präzise und zuverlässige Operationen über verschiedene Wetterbedingungen hinweg grundlegend.Die Kapazität, variable Lasten mit minimalem Stromverlust zu verarbeiten, sorgt für eine effiziente Scheibenscheibe.Umfangreiche Tests in verschiedenen Klimazonen beweisen seine Wirksamkeit bei der Verbesserung der Sichtbarkeit und der Fahrersicherheit.

Klimakontrollsysteme

Der STP55NF06 fährt Motoren und Kompressoren in Klimaregelungssystemen mit außergewöhnlicher Effizienz und ermöglicht ein präzises Temperaturmanagement innerhalb von Fahrzeugen.Die energiesparenden Fähigkeiten dieses MOSFET verringern den Gesamtverbrauch des Fahrzeugs.Praktische Anwendungen zeigen seine Rolle bei der Aufrechterhaltung des Komforts und bei der Verlängerung der Akkulaufzeit.

Kraftstürmechanismen

Power Door -Systeme nutzen die konsistente Leistung des STP55NF06 für reibungslose und zuverlässige Vorgänge.Die Haltbarkeit des MOSFET über wiederholte Zyklen sorgt für die Lebensdauer und minimiert die Wartung.Das Feedback des Feldes hebt weniger Fehler hervor, was zu einer größeren Zufriedenheit der Verbraucher und zu Vertrauen in automatisierte Türen führt.

Testkreis

STP55NF06 - Untersuchung der Schaltzeiten mit Widerstandslast

STP55NF06-Switching times test circuit for resistive load

STP55NF06 - Untersuchung der Gate -Ladungsdynamik

STP55NF06-Gate charge test circuit

Nutzung des STP55NF06 MOSFET

Der STP55NF06 -MOSFET funktioniert effizient mit bescheidenen Spannungsanforderungen und leitet den Betrieb um 4 V ein.Diese Funktion entspricht gut mit Anwendungen, die niedrigere Spannungen erfordern.In Verbindung mit VCC fordert das Tor die Leitung auf.Das Erdung hält den Strom an.Wenn die Gatespannung unter 4 V fällt, stoppt die Leitung.Ein Pulldown-Widerstand, typischerweise in der Nähe von 10 km, sorgt dafür, dass das Tor bei inaktivem und stärkenden Zuverlässigkeit geerdet bleibt.

In praktischen Anwendungen ist das stabile Gate -Spannungsmanagement für die Leistung einflussreich.In Szenarien, die Präzision fordern, kann die Integration von Feedback -Mechanismen den Vorgängen verfeinern und es ermöglichen, dass Systeme die gewünschten Funktionalität unter schwankenden Bedingungen aufrechterhalten.

Implementierung der Schaltung

STP55NF06 Circuit

Um das MOSFET zu beschäftigen, verbindet sich das Tor mit der Versorgungsspannung.Wenn die Spannung unter 4 V rutscht, tritt das Gerät in den ohmischen Bereich ein und bleibt die Leitung.Ein Pulldown-Widerstand, wie ein 10K-Widerstand, stabilisiert die Schaltung, indem sie das Tor bei nicht aktiven Löschung geerdet hält und das Risiko einer unbeabsichtigten Aktivierung durch plötzliche Spannungsänderungen verringert.

Technische Spezifikationen

Typ
Parameter
Lebenszyklusstatus
Aktiv (zuletzt aktualisiert: vor 8 Monaten)
Fabrikvorlaufzeit
12 Wochen
Montieren
Durch Loch
Montagetyp
Durch Loch
Paket / Fall
To-220-3
Anzahl der Stifte
3
Gewicht
4.535924g
Transistorelementmaterial
SILIZIUM
Strom - kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ℃
50a tc
Antriebsspannung (maximale RDS an, min RDS eins)
10V
Anzahl der Elemente
1
Leistungsdissipation (max)
110W TC
Verspätungszeit ausschalten
36 ns
Betriebstemperatur
-55 ° C ~ 175 ° C tj
Verpackung
Rohr
Serie
StripFet ™ II
JESD-609 Code
E3
Teilstatus
Aktiv
Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL)
1 (unbegrenzt)
Anzahl der Terminen
3
ECCN -Code
Ear99
Widerstand
18 Mohm
Terminal Finish
Matte Dose (sn)
Spannung - DC bewertet
60 V
Aktuelle Bewertung
50a
Basisteilnummer
STP55N
Stiftanzahl
3
Elementkonfiguration
Einzel
Betriebsart
Verbesserungsmodus
Leistungsdissipation
30W
Verzögerungszeit einschalten
20 ns
FET -Typ
N-Kanal
Transistoranwendung
Umschalten
Rds on (max) @ id, vgs
18m ω @ 27,5a, 10 V
Vgs (th) (max) @ id
4V @ 250 μA
Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds
1300PF @ 25V
Gate Ladung (QG) (max) @ vgs
60nc @ 10v
Anstiegszeit
50ns
VGS (max)
± 20 V
Fallzeit (Typ)
15 ns
Kontinuierlicher Abflussstrom (ID)
50a
Schwellenspannung
3v
JEDEC-95 CODE
To-220ab
Gate to Quellspannung (VGS)
20V
Drainstrommax (ABS) (ID)
55a
Abtropfen, um die Spannungsspannung der Quelle abzunehmen
60 V
Gepulster Abflussstrommax (IDM)
200a
Doppelversorgungsspannung
60 V
Nominal VGS
3 v
Höhe
9,15 mm
Länge
10,4 mm
Breite
4,6 mm
SVHC erreichen
Kein SVHC
Strahlenhärtung
NEIN
ROHS -Status
ROHS3 -konform
Frei führen
Frei führen

Vergleichbare Komponenten

Teilenummer
Hersteller
Montieren
Paket / Fall
Kontinuierlicher Abflussstrom (AUSWEIS)
Strom - kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C.
Schwellenspannung
Gate to Quellspannung (VGS)
Leistungsdissipation
Leistungsdissipationsmax
STP55NF06
Stmicroelektronik
Durch Loch
To-220-3
50 a
50a (TC)
3 v
20 v
30 w
110W (TC)
STP65NF06
Stmicroelektronik
Durch Loch
To-220-3
60 a
60a (TC)
1 v
15 v
110 w
110W (TC)
STP60NF06L
Stmicroelektronik
Durch Loch
To-220-3
55 a
55a (TC)
2 v
25 v
114 w
114W (TC)
STP60NF06
Stmicroelektronik
Durch Loch
To-220-3
60 a
60a (TC)
4 v
20 v
110 w
110W (TC)
FDP55N06
Auf Halbleiter
- -
To-220-3
- -
60a (TC)
- -
- -
- -
110W (TC)

Paket

STP55NF06 Package

Herstellerübersicht

STMICROELECTRONICS führt in Halbleiterlösungen und zeigt tiefgreifende Kenntnisse in Silizium und Systemen.Dieses Know-how drängt sie in der Förderung der System-On-Chip-Technologie (SOC) und dem Einrichten der modernen technischen Fortschritte.Ihre Siliziumkompetenz erstellt leistungsstarke, energieeffiziente Lösungen für verschiedene Anwendungen.Von der Unterhaltungselektronik bis hin zu Industriegeräten treibt diese Lösungen die schnelle Entwicklung vernetzter Technologien vor und erfüllen den Durst nach intelligenteren, nachhaltigen Innovationen.

STMICROELECTRONICS spielt eine bemerkenswerte Rolle in der SOC -Technologie, indem sie Funktionen in einen einzelnen Chip integriert, die Leistung optimiert und die Kosten senkt.Dies entspricht der Nachfrage nach effizienten, kompakten und vielseitigen Elektronik.Automobil- und IoT -Sektoren zeigen hauptsächlich die Auswirkungen des Unternehmens auf die transformierenden Branchen.Der Halbleitersektor lebt von unerbittlicher Innovation und Anpassung.Unternehmen wie Stmicroelectronics fördern die Interoperabilität der nahtlosen Geräte durch Zusammenarbeit und Integration, wobei sie sich an Fortschritte anpassen und gleichzeitig Zuverlässigkeit und Leistung gewährleisten.Ihre adaptiven Strategien und ihr kollaboratives Ethos bieten ein subtiles Modell für Best Practices der Branche.

Datenblatt PDF

STP55NF06 Datenblätter:

STX55NF06 (-1, FP) .pdf

STP65NF06 Datenblätter:

STD65NF06, STP65NF06.PDF

STP60NF06L -Datenblätter:

STX60NF06L (FP) .pdf

STP60NF06 Datenblätter:

STP60NF06.pdf

FDP55N06 Datenblätter:

TO220B03 PKG Zeichnung.pdf

FDP55N06, FDPF55N06.pdf

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ALLELCO LIMITED

Allelco ist ein international berühmter One-Stop Procurement Service Distributor von hybriden elektronischen Komponenten, die sich für die globale elektronische Fertigungs- und Vertriebsbranche, einschließlich globaler Top -500 -OEM -Fabriken und unabhängigen Brokern, umfassende Komponenten -Beschaffungs- und Lieferkettendienste für die globale elektronische Fertigungs- und Vertriebsbranche verpflichtet haben.
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