Mosfet gegen IGBT

In der Welt der Stromversorgung ist die Auswahl des richtigen Halbleitergeräts sehr wichtig, um die Leistung, Effizienz und Zuverlässigkeit elektronischer Systeme zu verbessern.Zwei beliebte Optionen sind bipolare Transistoren (sigBTs) und Siliziumcarbid-Metal-Oxid-Sämischen-Feld-Effekt-Transistoren (SIC-MOSFETs).Jedes dieser Geräte verfügt über einzigartige Funktionen und Vorteile, wodurch sie für unterschiedliche Verwendungen geeignet sind.In diesem Artikel werden die Hauptunterschiede zwischen SiGBTs und SIC -MOSFETs erläutert und ihre Merkmale, Vorschriften, Nachteile und ihre Auswirkungen auf die Wechselrichtertechnologie, insbesondere in Motorantriebssystemen, erörtert.Durch das Verständnis dieser Unterschiede können Ingenieure und Designer bessere Entscheidungen treffen, um ihre Energieelektronikprojekte zu verbessern.

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Abbildung 1: MOSFET vs. IGBT

Verständnis von SI IGBTs und SIC -MOSFETs

Sic mosfets

Siliziumcarbid-Metalloxid-Sämiener-Feld-Effekt-Transistoren (SIC-MOSFETs) arbeiten, indem die auf ihren Gate-Anschluss angelegte Spannung gesteuert wird.Einer der Hauptvorteile von SIC -MOSFETs ist der starke Widerstand gegen thermische Ausreißer, ein Zustand, bei dem ein Temperaturanstieg zu weiteren Temperaturen führt, was möglicherweise ein Gerätefehler verursacht.Dieser Widerstand ist weitgehend auf die bessere Wärmeleitfähigkeit von Siliziumcarbid (SIC) im Vergleich zu regulärem Silizium zurückzuführen.Die hohe Wärmeleitfähigkeit von SIC sorgt für eine effektive Wärmeableitung auf Geräteebene und hält stabile Betriebstemperaturen auch unter hohen Leistungsbedingungen.

Diese Fähigkeit, Wärme zu verwalten, ist in Umgebungen mit hohen Temperaturen sehr wichtig, z. B. in Autos und industriellen Umgebungen.In diesen Situationen sind die Zuverlässigkeit und Effizienz elektronischer Teile sehr wichtig, und SIC -MOSFETs bieten eine starke Lösung.Ihre Fähigkeit, die Leistung aufrechtzuerhalten und unter schwierigen Bedingungen eine Überhitzung zu verhindern, macht sie für die Energieelektronik sehr wünschenswert, wo die Verwaltung von Wärme ein großes Problem ist.

Si -IGBTs

Bipolare Transistoren (sigBTs) mit Silizium-INSulierten Gate sind Halbleitergeräte, die von Strom gesteuert werden, die durch Anwenden eines Stroms auf den Gate-Terminal funktionieren.Diese Transistoren werden üblicherweise in Anwendungen verwendet, die den Gleichstrom (DC) in Wechselstrom (AC) umwandeln, insbesondere in Motorantrieben.Die Anziehungskraft von Si -IGBTs ist ihre Fähigkeit, hohe Strömungen effektiv zu bewältigen.Sie bieten auch schnelle Schaltgeschwindigkeiten, was für Anwendungen, die eine schnelle und präzise Stromsteuerung benötigen, sehr wichtig ist.

In Bezug auf die elektrischen Eigenschaften haben SI -IGBTs eine hohe Spannung, sodass sie unter hohen Spannungsbedingungen sicher arbeiten können.Sie haben auch einen niedrigen Spannungsabfall über das Gerät, wenn Sie Strom durchführen, was zu niedrigeren Stromverlusten und einer besseren Effizienz führt.Darüber hinaus weisen Si -IGBTs niedrige Leitfähigkeitsverluste auf, was bedeutet, dass sie weniger Leistung anwenden, wenn sich der Transistor im Zustand "On" befindet und die Gesamtleistung des Systems verbessert.

Diese Eigenschaften machen SI-IGBTs besonders geeignet für Hochleistungs-Motorantriebsanwendungen, wie z. B. solche in Fertigungssystemen.Ihre starke Leistung in diesen schwierigen Umgebungen ist auf ihre Fähigkeit zurückzuführen, große Ströme und Spannungen effektiv zu wechseln, wodurch sie zu einer erschwinglichen und zuverlässigen Wahl für die Kontrolle von Hochleistungsmotoren sind.

Wechselrichter und ihre Auswirkungen auf Motorantriebssysteme

Abbildung 2: Wechselrichter und ihre Auswirkungen auf Motorantriebssysteme

In Motor Drive -Anwendungen spielen Wechselrichter eine wichtige Rolle bei der Änderung des Gleichstroms (DC) von Batteriesystemen in Wechselstrom (AC), die Elektromotoren ausführen müssen.Diese Änderung ist für Elektrofahrzeuge sehr erforderlich, bei denen große Akku den benötigten DC -Stromversorgung verleihen.Wechselrichter verarbeiten viele wichtige Teile der motorischen Leistung, einschließlich Geschwindigkeit, Drehmoment, Strom und Effizienz.Sie helfen auch beim regenerativen Bremsen, was eine Funktion ist, die Energie während des Brems erfasst und es wieder in die Batterie schickt, wodurch das gesamte System energieeffizienter wird.

Die Art des Wechselrichters wirkt sich stark aus, wie gut das Motorantriebssystem funktioniert.Historisch gesehen wurden zwei Arten von Wechselrichtern weit verbreitet: bipolare Transistoren von Silicium-isolierten Gate (Si-IGBTs) und Siliziumcarbid-Metalloxid-Diemedonductor-Feld-Effekt-Transistoren (SIC-MOSFETs).

SiGBTs waren die Standardwahl, da sie zuverlässig sind und die Herstellungsprozesse für sie gut etabliert sind.SIC -MOSFETs werden jedoch immer beliebter, weil sie besser abschneiden.SIC -MOSFETs haben niedrigere Schaltverluste, eine bessere Wärmeleitfähigkeit und können im Vergleich zu SI -IGBTs bei höheren Frequenzen und Temperaturen funktionieren.Diese Vorteile führen zu einer besseren Effizienz, weniger Kühlbedarf und der Fähigkeit, kleinere und leichtere Motorantriebssysteme zu entwerfen.

Die hohen Kosten für SIC-MOSFETs beschränkten sich zunächst auf High-End- oder spezielle Anwendungen.Die Verbesserungen der Herstellungstechnologie und der Massenproduktion haben die Kosten von SIC -Geräten jedoch erheblich gesenkt, was sie zu einer praktischen und attraktiven Option für eine breitere Palette von Motorantriebsanwendungen macht.Diese Kostensenkung hat zusammen mit ihren Leistungsvorteilen dazu geführt, dass SIC -MOSFETs in verschiedenen Branchen, einschließlich Automobil-, Industrieautomatisierung und Sektoren für erneuerbare Energien, mehr verwendet wurden.

Vor- und Nachteile von Si -IGBTs und SIC -MOSFETs

Si -IGBTs (bipolare Transistoren isoliertes Silizium -Gate)

Die bipolaren Transistoren (Si-IGBTs) von Silicon Isoliert Gate werden aufgrund ihrer starken Leistungsmerkmale häufig in Hochleistungsanwendungen eingesetzt.Hier ist ein detaillierter Blick auf ihre Vor- und Nachteile:

• Vorteile von Si -IGBTs

Griff große Strömungen gut: SI -IGBTs sind sehr gut darin, große Ströme effizient zu verwalten.Dies macht sie zu einer guten Wahl für Anwendungen, die große Stromlasten wie Industriemaschinen und Elektrofahrzeuge abwickeln müssen.

Schnelle Schaltgeschwindigkeit: SI -IGBTs können schnell ein- und ausschalten, was ihre Leistung in Systemen verbessert, die schnelle Änderungen des aktuellen Flusses erfordern.Diese schnelle Schaltfähigkeit ist hilfreich für Anwendungen, die schnelle Änderungen erfordern, was zu einer besseren Reaktionsfähigkeit und Leistung führt.

Niedrige Kosten: Der Produktionsprozess für SiGBTs ist ausgereift und gut etabliert, was zu niedrigeren Produktionskosten führt.Dieser Kostenvorteil macht SI IGBTS für viele Hochleistungsanwendungen zu einer budgetfreundlichen Wahl und hält die Gesamtsystemkosten niedrig.

Kann mit Hochspannungen umgehen: SI IGBTs können hohen Spannungen standhalten, was sie für Anwendungen geeignet ist, die bei hohen Spannungsniveaus betrieben werden.Diese Fähigkeit ist besonders nützlich bei Stromübertragungs- und Verteilungssystemen, bei denen eine Hochspannungsdauer erforderlich ist.

Niedriger Energieverlust: SI -IGBTs haben beim Durchführung von Strom minimale Spannungsabfall- und Leitfähigkeitsverluste.Diese Effizienz führt zu einem verringerten Energieverlust und einer verbesserten Gesamtsystemleistung, was für die Aufrechterhaltung einer hohen Effizienz der leistungsempfindlichen Anwendungen gut ist.

• Nachteile von Si -IGBTs

Anfällig für Überhitzung: In Hochleistungsanwendungen, wie z. B. solchen in Elektrofahrzeugen oder Industriesystemen, können Si-IGBTs überhitzen.Diese Überhitzung kann zu einem thermischen Ausreißer führen, ein Zustand, bei dem eine steigende Temperatur zu einem weiteren Temperaturanstieg führt, was möglicherweise zu einem Ausfall des Gerätes führt.Dieses Risiko von thermischen Problemen ist ein Zuverlässigkeitsbedenken in Hochleistungssituationen.

Langsamere Ausbiegszeiten: Im Vergleich zu einigen neueren Halbleitergeräten dauern die SI -IGBTs länger aus.Diese langsamere Ausbaus kann ihre Effektivität in Anwendungen einschränken, die sehr schnell wechseln müssen, wie z. B. Hochfrequenzwechselrichter oder fortschrittliche Motorsteuerungssysteme.Die langsamere Ausbausendzeit kann zu erhöhten Schaltverlusten und zu einer verringerten Gesamtwirkungsgrad in solchen Anwendungen führen.

SIC-MOSFETs (Silizium-Carbid-Metalloxid-Sämiener-Feld-Effekt-Transistoren)

In motorischen Antriebsanwendungen beeinflusst die Auswahl zwischen siliconisulierten Bipolaren-Transistoren (Si-IGBTs) und Siliziumcarbid-Metalloxid-Sämiener-Feld-Effekt-Transistoren (SIC-MOSFETs) die Leistung und Effizienz des Systems erheblich.Das Verständnis der Vor- und Nachteile von SIC-MOSFETs erklärt, warum sie trotz einiger Herausforderungen in vielen Hochleistungsanwendungen zu einer beliebten Wahl werden.

• Vorteile von SIC -MOSFETs

Höhere Effizienz: SIC -MOSFETs haben im Vergleich zu SI -IGBTs eine geringere Leitung und Schaltverluste.Diese verbesserte Effizienz verringert den Energieverbrauch und erhöht die Gesamtleistung des Motorantriebssystems.Niedrigere Verluste bedeuten, dass weniger Energie als Wärme verschwendet wird, was zu einem effektiveren Stromverbrauch führt.

Besseres Wärmemanagement: Siliziumkarbid leitet Wärme besser als Silizium.Dies ermöglicht es SIC-MOSFETs, effektiver mit Wärme umzugehen und ihre Leistung und Zuverlässigkeit auch unter hohen Leistungsbedingungen aufrechtzuerhalten.Besseres Wärmemanagement reduziert den Bedarf an umfangreichen Kühlsystemen, so dass das Design einfacher ist und die Kosten senkt.

Schnelleres Schalten: SIC -MOSFETs können bei viel höheren Schaltfrequenzen als SI -IGBTs arbeiten.Eine schnellere Schaltung ermöglicht eine genauere Steuerung des Motors und kann die Leistung in Anwendungen verbessern, die schnell umschaltet werden.Dies ist besonders nützlich bei Elektrofahrzeugen und industriellen Motorsteuerung, bei denen die Effizienz und die schnellen Reaktionszeiten sehr wichtig sind.

Höhere Spannungshandhabung: SIC-MOSFETs können höhere Spannungen als SI-IGBTs verwalten, wodurch sie für Hochspannungsanwendungen geeignet sind.Diese höhere Spannungstoleranz ist nützlich für Stromnetzgrenzflächen und industrielle Laufwerke mit hoher Leistung, bei denen eine starke Spannungshandhabung erforderlich ist.

Kleinere Größe: Aufgrund ihrer besseren Effizienz- und Wärmeeigenschaften können SIC -MOSFETs kleiner als ihre Silizium -Gegenstücke hergestellt werden.Diese Größenreduzierung ist gut, um kompaktere und leichte Systeme zu erstellen, was besonders bei Anwendungen wie Elektrofahrzeugen wertvoll ist, bei denen Sparen und Gewicht sehr wichtig sind.

• Nachteile von SIC -MOSFETs

Höhere Kosten: Die Herstellung von SIC -MOSFETs ist komplexer und teuerer als die Herstellung von SI -IGBTs.Diese höheren Produktionskosten führen zu einem höheren Kaufpreis, der eine Barriere darstellen kann, insbesondere bei Kostensensitivanwendungen.Wenn sich jedoch die Herstellung verbessert und größere Mengen erzeugt werden, sinken diese Kosten allmählich.

Begrenzte Marktnutzung: Als neuere Technologie wurden SIC -MOSFETs noch nicht so weit verbreitet wie SI -IGBTs.Diese begrenzte Verwendung kann zu weniger verfügbaren Komponenten und weniger Support führen, was es für Ingenieure schwieriger macht, Teile zu finden und technische Hilfe zu erhalten.Im Laufe der Zeit wird erwartet, dass die SIC -Technologie häufiger häufiger wird.

Komplexe Antriebsbedürfnisse: SIC -MOSFETs benötigen im Vergleich zu SI -IGBTs häufig fortgeschrittene Antriebsschaltungen.Die Komplexität dieser Antriebsschaltung kann das Gesamtsystemdesign erschweren und möglicherweise die Entwicklungskosten erhöhen.Ingenieure müssen diese Schaltkreise sorgfältig entwerfen und implementieren, um vollständig von der SIC -Technologie zu profitieren.

Verbesserte Wechselrichtertechnologie mit SIC -MOSFETs

Abbildung 3: Vergleich der SI -Lösung der Kraftkabinett mit sic -Lösung für Wechselrichter von Motorantrieb

Siliziumcarbid -MOSFETs (SIC -MOSFETs) haben die Wechselrichtertechnologie in Motorantriebssystemen erheblich verbessert, was viele Vorteile gegenüber den bipolaren Transistoren (SIGBTs) mit Silizium -Isoliergatoren bietet.SIC -MOSFETs können aufgrund ihrer niedrigeren Schaltverluste bei viel höheren Schaltgeschwindigkeiten funktionieren und eine genauere Steuerung der Motordrehzahl und des Drehmoments ermöglichen.Sie kümmern sich auch besser mit Wärme, was bedeutet, dass sie die Wärme effektiver beseitigen und die Notwendigkeit großer Kühlsysteme verringern.Dies führt zu kleineren und leichteren Wechselrichter -Designs, was besonders für Elektrofahrzeuge gut ist.

SIC -MOSFETs können auch bei höheren Temperaturen funktionieren und die Zuverlässigkeit und die Lebensdauer von Motorantriebssystemen unter schwierigen Bedingungen erhöhen.Während SI-IGBTs möglicherweise noch in billigeren Anwendungen eingesetzt werden oder wenn hohe Schaltgeschwindigkeiten und Wärmemanagement weniger betroffen sind, machen die Effizienz, eine bessere Wärmeabwicklung und eine höhere Leistung von SIC-MOSFETs sie perfekt für Hochleistungs- und zuverlässige Motorantriebsanwendungen, die sie perfekt sind, und zuverlässige Motorantriebsanwendungen, Anwendungeneinschließlich Elektrofahrzeuge und industrieller Automatisierung.

Hauptunterschiede zwischen IGBTs und MOSFets

Parameter	IGBT	Mosfet
Spannungsbereich	600 V bis 6500 V (gemeinsame Hochspannungsanwendungen)	20 V bis 1000 V (übliche Anwendungen mit niedriger bis mittlerer Spannung)
Typische Anwendungen	Hochspannung, Hochstromanwendungen, z. B. Stromnetze, Industrie Motoren und Wechselrichter	Anwendungen mit niedriger bis mittlerer Spannung, z. B. Netzteile, Audio Verstärker und Motorkontroller
Spannungsabfall im Stadium (vCe oder VDs)	Höherer Spannungsabfall, typischerweise 2 V bis 4 V	Niedrigerer Spannungsabfall, typischerweise 0,1 V bis 1 V
Geschwindigkeitswechsel	Langsamere Schaltgeschwindigkeit (besser für niedrigere Frequenz geeignet Anwendungen)	Schnellere Schaltgeschwindigkeit (geeigneter für Hochfrequenzanwendungen)
Leitungsverluste	Höher aufgrund bipolarer Natur und höherer Spannungsabfall	Niedriger aufgrund unipolarer Natur und niedrigerer Spannungsabfall
Verluste wechseln	Höher aufgrund einer langsameren Schaltgeschwindigkeit	Niedriger aufgrund einer schnelleren Schaltgeschwindigkeit
Wärmestabilität	Bessere thermische Leistung bei höheren Leistungsstufen	Begrenzte thermische Leistung im Vergleich zu IGBTs
Kontrollkomplexität	Einfachere Anforderungen an das Gate-Antrieb, normalerweise spannungsgesteuerte Anforderungen	Erfordert normalerweise komplexere Gate -Antriebsschaltungen, typischerweise Strom kontrolliert
Robustheit	Im Allgemeinen bessere Kurzschlussfunktion	Normalerweise niedrigere Kurzschlussfunktionen des Kurzschlusses
Kosten	Im Allgemeinen höher für äquivalente Spannungsbewertungen	Im Allgemeinen niedriger für äquivalente Spannungsbewertungen

Art des Geräts

Abbildung 4: Art des Geräts - MOSFET- und IGBT -Symbolvergleich

IGBTs (bipolare Transistoren isolierter Gate) sind eine Mischung aus MOSFETs (Metalloxid-Sämiener-Feld-Effekt-Transistoren) und bipolarer Transistoren.Sie haben ein spannungsgesteuertes Tor wie MOSFETs, das das Schalten erleichtert.Sie haben auch bipolarartige Stromversorgerfähigkeit, die es ihnen ermöglichen, mit hohen Leistungsniveaus umzugehen.Im Gegensatz dazu sind MOSFETs nur spannungsgesteuerte Transistoren.Der Stromfluss zwischen ihren Quellen- und Abflussanschlüssen wird durch die auf das Tor angelegte Spannung gesteuert.

Spannungsbewertung

Abbildung 5: Drain/Sammlerspannung Vs.Strom für MOSFET und IGBT

Für die Spannungsbewertung sind IGBTs für Hochspannungsnutzungen besser und reichen von Hunderten bis Tausenden von Volt.Dies macht sie für Hochleistungsanwendungen wie Motorantriebe und Stromwechselrichter geeignet.MOSFETs werden normalerweise in niedrigeren bis mittleren Spannungsanwendungen verwendet, die von Zehn bis Hunderten von Volt reichen, die in elektronischen Schaltkreisen und Spannungsregulatoren üblich sind.

Aktuelles Handling

Abbildung 6: VD-ID-Eigenschaften bei 25 ° C und 150 ° C für MOSFET und IGBT

In Bezug auf die aktuelle Handhabung eignen sich IGBTs aufgrund ihrer bipolaren Stromversorgungsfähigkeiten für hohe Stromanwendungen hervorragend.Dies macht sie in Hochleistungseinstellungen nützlich.MOSFETs werden jedoch typischerweise für niedrigere bis mittelschwere Stromanwendungen verwendet, bei denen ein hoher Effizienz und ein schnelles Schalten erforderlich sind.

Geschwindigkeitswechsel

Die Schaltgeschwindigkeit ist ein weiterer großer Unterschied.IGBTS -Schalter langsamer als MOSFETs, was für Anwendungen in Ordnung ist, bei denen kein schnelles Schalten erforderlich ist.Andererseits werden MOSFETs für den hohen Frequenzgebrauch hergestellt und bieten schnellere Schaltgeschwindigkeiten.Dies macht sie für Anwendungen wie Netzteile und Konverter geeignet, die schnell und effizient wechseln müssen.

Effizienz

Die Effizienz variiert zwischen IGBTs und MOSFETs basierend auf Spannung und Strom.IGBTs haben niedrigere Leitungsverluste bei hohen Spannungen und Strömen, wodurch sie bei Hochleistungsanwendungen effizienter werden.MOSFETs sind jedoch bei niedrigen Spannungen und Strömen aufgrund ihrer geringen Aufnahmebereich und schnellen Schaltfunktionen effizienter.

Anwendungen

Abbildung 7: MOSFET -Grundstruktur Vs.IGBT -Grundstruktur

Die Verwendung dieser Geräte spiegelt ihre Stärken wider.IGBTs werden üblicherweise in Hochleistungssituationen wie Motorantrieben, Leistungswechselrunden und Induktionsheizsystemen verwendet, da sie mit hoher Spannung und Strom umgehen können.MOSFETs sind besser für Anwendungen, die schnelles Schalten und Effizienz bei niedrigeren Stromniveaus priorisieren, wie z. B. elektronische Schaltschaltungen und Spannungsregulatoren.

Gate Drive -Anforderungen

Schließlich unterscheiden sich die Anforderungen an die Gate Drive zwischen IGBTs und MOSFETs.IGBTs benötigen eine positive Spannung am Tor zum Emitter, um sich einzuschalten, und deaktivieren Sie die Gate -Spannung.MOSFETs benötigen jedoch eine positive Spannung am Tor relativ zur Quelle, um sowohl ein- als auch auszuschalten, wodurch ihr Tor einfacher und einfacher wird.

Abschluss

Sowohl SI-IGBTs als auch SIC-MOSFETs weisen einzigartige Stärken auf, die zu unterschiedlichen Hochleistungsanwendungen geeignet sind.SI -IGBTs sind großartig, um große Strömungen und Hochspannungen zu bewältigen und billiger zu produzieren, was sie für traditionelle Verwendungszwecke wie Industriemotoren und Stromnetze zuverlässig macht.Sie können jedoch langsamer überhitzen und wechseln, was ein Problem in Hochgeschwindigkeits- oder sehr heißen Umgebungen sein kann.

Andererseits verarbeiten SIC-MOSFETs die Wärme besser, wechseln schneller und sind effizienter. Dadurch wird sie zu einem Favoriten für moderne Anwendungen wie Elektroautos und Hochleistungs-Industriesysteme.Obwohl sie zunächst mehr kosten und komplexere Antriebskreise benötigen, verringern kontinuierliche Verbesserungen der SIC -Technologie diese Probleme, was zu einer größeren Nutzung führt.

Die Auswahl zwischen SI -IGBTs und SIC -MOSFETs hängt von den spezifischen Anforderungen der Anwendung ab, z. B. Spannung und Stromniveaus, Schaltgeschwindigkeit und Wärmemanagement.Durch die Nutzung der Stärken jedes Geräts können Ingenieure bessere elektronische Systeme für elektronische Stromversorgung, die Verbesserung und die Effizienz in verschiedenen Technologiefeldern entwerfen und bauen.

Häufig gestellte Fragen [FAQ]

1. Welches ist besser IGBT oder MOSFET?

Die Wahl zwischen IGBT und MOSFET hängt davon ab, wofür Sie es brauchen.MOSFETs sind im Allgemeinen besser für niedrige bis mittelschwere Aufgaben, die schnelle Schaltgeschwindigkeiten und ein gutes Wärmemanagement erfordern.Sie sind gut für Dinge wie Netzteile und Motorkontroller.IGBTs hingegen sind für Hochleistungsaufgaben besser, da sie größere Ströme und höhere Spannungen bewältigen können, was sie ideal für Industriemotoren und Stromwechselrichter macht.

2. Kann IGBT MOSFET ersetzen?

Manchmal können IGBTs MOSFETs ersetzen, insbesondere bei Hochleistungsaufgaben, bei denen es sehr erforderlich ist, große Ströme und Spannungen zu handhaben.Da IGBTS jedoch langsamer wechselt und die Wärme unterschiedlich umgeht, sind sie möglicherweise nicht gut für Aufgaben, die sehr schnell wechseln und niedriger Stromverlust benötigen, bei denen MOSFETs besser sind.

3. Woher weiß ich, ob ich IGBT oder MOSFET habe?

Um herauszufinden, ob Sie eine IGBT oder MOSFET haben, überprüfen Sie die Teilenummer und Details des Herstellers.Datenblätter zeigen Ihnen, ob das Gerät ein IGBT oder ein MOSFET ist.Sie sehen möglicherweise gleich aus, sodass Sie die Dokumentation oder Markierungen der Komponente überprüfen müssen.

4. Welches ist das schnellste Switching -Gerät IGBT oder MOSFET?

MOSFETs sind im Vergleich zu IGBTs im Allgemeinen die schnellsten Schaltgeräte.Sie können mit viel höheren Geschwindigkeiten wechseln, wodurch sie für Aufgaben geeignet sind, die schnell wechseln müssen, z.

5. Woher weiß ich, ob ich IGBT oder MOSFET habe?

Sie können herausfinden, ob Sie über eine IGBT oder MOSFET verfügen, indem Sie sich die Markierungen der Komponenten ansehen und sie mit Datenblättern oder Herstellerdetails vergleichen.Diese Dokumente enthalten detaillierte Informationen über die Art des Halbleitergeräts, einschließlich der Frage, ob es sich um eine IGBT oder ein MOSFET handelt.