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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-Arrays2N7002KDW
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2N7002KDW - Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd

Hersteller Artikelnummer
2N7002KDW
Hersteller
Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Allelco Artikelnummer
32D-2N7002KDW
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
N-CH MOSFET 60V 0.34A SOT-363
detaillierte Beschreibung
Verpackung
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Datenblatt
2N7002KDW Datasheet.pdf
RoHS Status
vorrätig: 804900

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Anzahl

Spezifikation

2N7002KDW Tech -Spezifikationen
Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd - 2N7002KDW Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd - 2N7002KDW

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd  
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SOT-363  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.5Ohm @ 300mA, 10V  
Leistung - max 350mW (Ta)  
Verpackung / Gehäuse 6-TSSOP, SC-88, SOT-363  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 30pF @ 30V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.4nC @ 10V  
FET-Merkmal -  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 340mA (Ta)  
Konfiguration 2 N-Channel (Dual)  
Grundproduktnummer 2N7002  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd 2N7002KDW.

Produkteigenschaften 2N7002KDW 2N7002KDW_R1_00001 2N7002KA-RTK/H/P 2N7002KA
Artikelnummer 2N7002KDW 2N7002KDW_R1_00001 2N7002KA-RTK/H/P 2N7002KA
Hersteller Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd Panjit International Inc. KEC Rectron USA
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) - MOSFET (Metal Oxide)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount - Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 30pF @ 30V 35pF @ 25V - 50 pF @ 25 V
Supplier Device-Gehäuse SOT-363 SOT-363 - SOT-23
Verpackung / Gehäuse 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 - TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Konfiguration 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.5Ohm @ 300mA, 10V 3Ohm @ 500mA, 10V - 3Ohm @ 500mA, 10V
Grundproduktnummer 2N7002 2N7002 - 2N7002
Leistung - max 350mW (Ta) 200mW (Ta) - -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60V 60V - 60 V
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA - 2V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ)
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR)
FET-Merkmal - - - -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.4nC @ 10V 0.8nC @ 4.5V - -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 340mA (Ta) 115mA (Ta) - 115mA (Ta)
Serie - - - -

2N7002KDW Datenblatt PDF

Laden Sie 2N7002KDW PDF -Datenblätter und Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd -Dokumentation für 2N7002KDW - Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd herunter.

Datenblätter
2N7002KDW Datasheet.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Additional Assembly Site 10/Nov/2022.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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