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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-Bipolar (BJT)-Einzel2N4403TF
2N4403TF Image
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2N4403TF - onsemi

Hersteller Artikelnummer
2N4403TF
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-2N4403TF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS PNP 40V 0.6A TO92-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Datenblatt
2N4403TF.pdf
RoHS Status
vorrätig: 410250

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Anzahl

Spezifikation

2N4403TF Tech -Spezifikationen
onsemi - 2N4403TF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - 2N4403TF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 40 V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 750mV @ 50mA, 500mA  
Transistor-Typ PNP  
Supplier Device-Gehäuse TO-92-3  
Serie -  
Leistung - max 625 mW  
Verpackung / Gehäuse TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Tape & Reel (TR)  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Frequenz - Übergang 200MHz  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 100 @ 150mA, 2V  
Strom - Collector Cutoff (Max) -  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 600 mA  
Grundproduktnummer 2N4403  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi 2N4403TF.

Produkteigenschaften 2N4403TF 2N4403TF 2N4403TAR 2N4403TAR
Artikelnummer 2N4403TF 2N4403TF 2N4403TAR 2N4403TAR
Hersteller onsemi Fairchild Semiconductor onsemi Fairchild Semiconductor
Strom - Collector Cutoff (Max) - - - -
Strom - Kollektor (Ic) (max) 600 mA 600 mA 600 mA 600 mA
Paket Tape & Reel (TR) Bulk Cut Tape (CT) Bulk
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 100 @ 150mA, 2V 100 @ 150mA, 2V 100 @ 150mA, 2V 100 @ 150mA, 2V
Verpackung / Gehäuse TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Frequenz - Übergang 200MHz 200MHz 200MHz 200MHz
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 40 V 40 V 40 V 40 V
Leistung - max 625 mW 625 mW 625 mW 625 mW
Transistor-Typ PNP PNP PNP PNP
Serie - - - -
Supplier Device-Gehäuse TO-92-3 TO-92-3 TO-92-3 TO-92-3
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 750mV @ 50mA, 500mA 750mV @ 50mA, 500mA 750mV @ 50mA, 500mA 750mV @ 50mA, 500mA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Grundproduktnummer 2N4403 - 2N4403 -

2N4403TF Datenblatt PDF

Laden Sie 2N4403TF PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für 2N4403TF - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Logo 17/Aug/2017.pdf Copper Lead Frame 12/Oct/2007.pdf
PCN -Verpackung
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
2Nx/BCx/KSAx/KSPx/MPSx/PNx/SSx 29/Jun/2022.pdf

Lieferung

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Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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