Spezifikation
2N5195G Tech -Spezifikationen
onsemi - 2N5195G Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - 2N5195G
| Produkteigenschaften |
Eigenschaften
| |
| Hersteller |
onsemi |
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| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) |
80 V |
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| VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic |
1.4V @ 1A, 4A |
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| Transistor-Typ |
PNP |
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| Supplier Device-Gehäuse |
TO-126 |
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| Serie |
- |
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| Leistung - max |
40 W |
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| Verpackung / Gehäuse |
TO-225AA, TO-126-3 |
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| Produkteigenschaften |
Eigenschaften
| |
| Paket |
Bulk |
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| Betriebstemperatur |
-65°C ~ 150°C (TJ) |
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| Befestigungsart |
Through Hole |
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| Frequenz - Übergang |
2MHz |
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| DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE |
20 @ 1.5A, 2V |
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| Strom - Collector Cutoff (Max) |
1mA |
|
| Strom - Kollektor (Ic) (max) |
4 A |
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| Grundproduktnummer |
2N5195 |
|
Lieferung
Lieferzeit
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Versandart
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| Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder |
| Region |
Land |
Logistische Zeit (Tag) |
| Amerika |
Vereinigte Staaten |
5 |
| Brasilien |
7 |
| Europa |
Deutschland |
5 |
| Großbritannien |
4 |
| Italien |
5 |
| Ozeanien |
Australien |
6 |
| Neuseeland |
5 |
| Asien |
Indien |
4 |
| Japan |
4 |
| Naher Osten |
Israel |
6 |
| DHL & FedEx -Versandkosten Referenz |
| Versandkosten (KG) |
Referenz DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg |
USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg |
USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg |
USD$50.00 - USD$100.00 |
- Notiz:
- Die obige Tabelle dient nur als Referenz.Möglicherweise gibt es einige Datenverzerrungen für die unkontrollierbaren Faktoren.
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2N5195STMicroelectronicsTRANS PNP 80V 4A SOT32-3
2N5204Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionSCR 600V 35A TO208AA
2N5210NTE Electronics, IncTRANS NPN 50V 0.05A TO92
2N5204Solid State Inc.TO 48 22 AMP SCR
2N5210onsemiTRANS NPN 50V 0.05A TO92
2N5210Fairchild Semiconductor2N5210 - SMALL SIGNAL BIPOLAR TR