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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-Bipolar (BJT)-Einzel2N5550TAR
2N5550TAR Image
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2N5550TAR - onsemi

Hersteller Artikelnummer
2N5550TAR
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-2N5550TAR
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS NPN 140V 0.6A TO92-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Datenblatt
2N5550TAR.pdf
RoHS Status
vorrätig: 382300

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Anzahl

Spezifikation

2N5550TAR Tech -Spezifikationen
onsemi - 2N5550TAR Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - 2N5550TAR

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 140 V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 5mA, 50mA  
Transistor-Typ NPN  
Supplier Device-Gehäuse TO-92-3  
Serie -  
Leistung - max 625 mW  
Verpackung / Gehäuse TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Cut Tape (CT)  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Frequenz - Übergang 300MHz  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 60 @ 10mA, 5V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 600 mA  
Grundproduktnummer 2N5550  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi 2N5550TAR.

Produkteigenschaften 2N5550TAR 2N5551 2N5551 2N5550
Artikelnummer 2N5550TAR 2N5551 2N5551 2N5550
Hersteller onsemi Fairchild Semiconductor NTE Electronics, Inc onsemi
Transistor-Typ NPN NPN NPN NPN
Strom - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO) 50nA (ICBO) - 100nA (ICBO)
Leistung - max 625 mW 625 mW 625 mW 625 mW
Paket Cut Tape (CT) Bulk Bag Bulk
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 5mA, 50mA 200mV @ 5mA, 50mA 200mV @ 5mA, 50mA 250mV @ 5mA, 50mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 140 V 160 V 160 V 140 V
Frequenz - Übergang 300MHz 300MHz 300MHz 300MHz
Betriebstemperatur 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ)
Grundproduktnummer 2N5550 - - 2N5550
Serie - - - -
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 60 @ 10mA, 5V 80 @ 10mA, 5V 80 @ 10mA, 5V 60 @ 10mA, 5V
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Supplier Device-Gehäuse TO-92-3 TO-92 (TO-226) TO-92 TO-92 (TO-226)
Strom - Kollektor (Ic) (max) 600 mA 600 mA 200 mA 600 mA
Verpackung / Gehäuse TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads TO-226-3, TO-92-3 Long Body

2N5550TAR Datenblatt PDF

Laden Sie 2N5550TAR PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für 2N5550TAR - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Logo 17/Aug/2017.pdf Copper Lead Frame 12/Oct/2007.pdf
PCN -Verpackung
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev Assembly Chgs 17/Nov/2020.pdf

Lieferung

Lieferzeit

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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