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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-Einzel2N7000
2N7000 Image
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2N7000 - onsemi

Hersteller Artikelnummer
2N7000
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-2N7000
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Datenblatt
2N7000.pdf
RoHS Status
vorrätig: 261010

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Anzahl

Spezifikation

2N7000 Tech -Spezifikationen
onsemi - 2N7000 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - 2N7000

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-92-3  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5Ohm @ 500mA, 10V  
Verlustleistung (max) 400mW (Ta)  
Verpackung / Gehäuse TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)  
Paket Bulk  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 50 pF @ 25 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 200mA (Ta)  
Grundproduktnummer 2N7000  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi 2N7000.

Produkteigenschaften 2N7000 2N7000-G 2N7000RLRAG 2N7000
Artikelnummer 2N7000 2N7000-G 2N7000RLRAG 2N7000
Hersteller onsemi Microchip Technology onsemi STMicroelectronics
Serie - - - STripFET™
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 200mA (Ta) 200mA (Tj) 200mA (Ta) 350mA (Tc)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse TO-92-3 TO-92-3 TO-92 (TO-226) TO-92-3
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 1mA 3V @ 1mA 3V @ 1mA 3V @ 250µA
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V 60 V 60 V 60 V
Verpackung / Gehäuse TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads) TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Grundproduktnummer 2N7000 2N7000 2N7000 2N70
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5Ohm @ 500mA, 10V 5Ohm @ 500mA, 10V 5Ohm @ 500mA, 10V 5Ohm @ 500mA, 10V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 50 pF @ 25 V 60 pF @ 25 V 60 pF @ 25 V 43 pF @ 25 V
Paket Bulk Bag Tape & Reel (TR) Bulk
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (Max) ±20V ±30V ±20V ±18V
Verlustleistung (max) 400mW (Ta) 1W (Tc) 350mW (Tc) 1W (Tc)
FET-Merkmal - - - -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V

2N7000 Datenblatt PDF

Laden Sie 2N7000 PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für 2N7000 - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Logo 17/Aug/2017.pdf
PCN -Verpackung
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf TO92 Packing Updates 01/Jul/2015.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev Site Transfer.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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