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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-Bipolar (BJT)-Einzel2SA1962RTU
onsemi
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2SA1962RTU - onsemi

Hersteller Artikelnummer
2SA1962RTU
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-2SA1962RTU
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
2SA1962 - POWER BIPOLAR TRANSIST
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-3P-3, SC-65-3
Datenblatt
2SA1962RTU.pdf
vorrätig: 10853

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Spezifikation

2SA1962RTU Tech -Spezifikationen
onsemi - 2SA1962RTU Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - 2SA1962RTU

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 250 V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 3V @ 800mA, 8A  
Transistor-Typ PNP  
Supplier Device-Gehäuse TO-3P  
Serie -  
Leistung - max 130 W  
Verpackung / Gehäuse TO-3P-3, SC-65-3  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Bulk  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Frequenz - Übergang 30MHz  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 55 @ 1A, 5V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 5µA (ICBO)  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 17 A  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi 2SA1962RTU.

Produkteigenschaften 2SA1962RTU 2SA1971(TE12L,F) 2SA1962RTU 2SA1955FV-A tpl3
Artikelnummer 2SA1962RTU 2SA1971(TE12L,F) 2SA1962RTU 2SA1955FV-A tpl3
Hersteller onsemi Toshiba Semiconductor and Storage Fairchild Semiconductor TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora
Verpackung / Gehäuse TO-3P-3, SC-65-3 TO-243AA TO-3P-3, SC-65-3 -
Serie - - - -
Paket Bulk Tape & Reel (TR) Bulk -
Leistung - max 130 W 500 mW 130 W -
Strom - Kollektor (Ic) (max) 17 A 500 mA 17 A -
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 250 V 400 V 250 V -
Supplier Device-Gehäuse TO-3P PW-MINI TO-3P -
Frequenz - Übergang 30MHz 35MHz 30MHz -
Transistor-Typ PNP PNP PNP -
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 55 @ 1A, 5V 140 @ 100mA, 5V 55 @ 1A, 5V -
Befestigungsart Through Hole Surface Mount Through Hole -
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 3V @ 800mA, 8A 1V @ 10mA, 100mA 3V @ 800mA, 8A -
Strom - Collector Cutoff (Max) 5µA (ICBO) 10µA (ICBO) 5µA (ICBO) -

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  2. Verwenden Sie unser Konto für die Sendung.In der folgenden Tabelle finden Sie die ungefähren Gebühren.
(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

  1. Globale gemeinsame Versand von DHL / UPS / FEDEX / TNT / EMS / SF, die wir unterstützen.
  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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Kontaktieren Sie uns, wenn Sie Fragen haben.

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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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  1. Telefon
    +00852 9146 4856

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2SA1962RTU

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