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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-Einzel2SK3708
2SK3708 Image
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2SK3708 - onsemi

Hersteller Artikelnummer
2SK3708
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-2SK3708
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 30A TO220ML
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3 Full Pack
Datenblatt
2SK3708.pdf
vorrätig: 4150

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Anzahl

Spezifikation

2SK3708 Tech -Spezifikationen
onsemi - 2SK3708 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - 2SK3708

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id -  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220ML  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 33mOhm @ 15A, 10V  
Verlustleistung (max) 2W (Ta), 30W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack  
Paket Bulk  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4200 pF @ 20 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 73 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 30A (Ta)  
Grundproduktnummer 2SK3708  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi 2SK3708.

Produkteigenschaften 2SK3708 2SK3703-1E 2SK3707 2SK3704
Artikelnummer 2SK3708 2SK3703-1E 2SK3707 2SK3704
Hersteller onsemi onsemi onsemi Sanyo
Rds On (Max) @ Id, Vgs 33mOhm @ 15A, 10V 26mOhm @ 15A, 10V 60mOhm @ 10A, 10V 14mOhm @ 23A, 10V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4200 pF @ 20 V 1780 pF @ 20 V 2150 pF @ 20 V 3500 pF @ 20 V
Betriebstemperatur 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
VGS (th) (Max) @ Id - - - -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 73 nC @ 10 V 40 nC @ 10 V 44 nC @ 10 V 67 nC @ 10 V
Grundproduktnummer 2SK3708 2SK3703 2SK3707 -
Supplier Device-Gehäuse TO-220ML TO-220F-3SG TO-220ML TO-220ML
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V 4V, 10V 4V, 10V 4V, 10V
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack
Serie - - - -
FET-Merkmal - - - -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 30A (Ta) 30A (Ta) 20A (Ta) 45A (Ta)
Paket Bulk Tube Bulk Bulk
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Verlustleistung (max) 2W (Ta), 30W (Tc) 2W (Ta), 25W (Tc) 2W (Ta), 25W (Tc) 2W (Ta), 30W (Tc)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V 60 V 100 V 60 V

2SK3708 Datenblatt PDF

Laden Sie 2SK3708 PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für 2SK3708 - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi RoHS.pdf
Datenblätter
2SK3708.pdf

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(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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    +00852 9146 4856

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