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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-Einzel2SK3820-DL-1E
onsemi
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

2SK3820-DL-1E - onsemi

Hersteller Artikelnummer
2SK3820-DL-1E
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-2SK3820-DL-1E
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 26A TO263-2
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datenblatt
2SK3820.pdf
vorrätig: 5410

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Anzahl

Spezifikation

2SK3820-DL-1E Tech -Spezifikationen
onsemi - 2SK3820-DL-1E Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - 2SK3820-DL-1E

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id -  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-263-2  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 60mOhm @ 13A, 10V  
Verlustleistung (max) 1.65W (Ta), 50W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2150 pF @ 20 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 44 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 26A (Ta)  
Grundproduktnummer 2SK3820  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi 2SK3820-DL-1E.

Produkteigenschaften 2SK3820-DL-1E 2SK3821-DL-E 2SK3813-Z-E1-AZ 2SK3814-Z-E1-AZ
Artikelnummer 2SK3820-DL-1E 2SK3821-DL-E 2SK3813-Z-E1-AZ 2SK3814-Z-E1-AZ
Hersteller onsemi onsemi Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics America Inc
Supplier Device-Gehäuse TO-263-2 SMP-FD - TO-252 (MP-3Z)
Verlustleistung (max) 1.65W (Ta), 50W (Tc) 1.65W (Ta), 65W (Tc) - 84W (Ta)
Grundproduktnummer 2SK3820 2SK3821 - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 60mOhm @ 13A, 10V 33mOhm @ 20A, 10V - 8.7mOhm @ 30A, 10V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Strip
Typ FET N-Channel N-Channel - N-Channel
VGS (th) (Max) @ Id - 2.6V @ 1mA - 2.5V @ 1mA
Vgs (Max) ±20V ±20V - ±20V
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 - TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2150 pF @ 20 V 4200 pF @ 20 V - 5450 pF @ 10 V
Serie - - - -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V 100 V - 60 V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount - Surface Mount
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) - MOSFET (Metal Oxide)
FET-Merkmal - - - -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V 4V, 10V - 4.5V, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 44 nC @ 10 V 73 nC @ 10 V - 95 nC @ 10 V
Betriebstemperatur 150°C (TJ) 150°C (TJ) - 150°C
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 26A (Ta) 40A (Ta) 60A (Tc) 60A (Ta)

2SK3820-DL-1E Datenblatt PDF

Laden Sie 2SK3820-DL-1E PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für 2SK3820-DL-1E - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Multiple Devices 17/Apr/2015.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Frabrication Site Change 27/Aug/2014.pdf
Datenblätter
2SK3820.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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