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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-Einzel2SK4065-DL-E
2SK4065-DL-E Image
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2SK4065-DL-E - onsemi

Hersteller Artikelnummer
2SK4065-DL-E
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-2SK4065-DL-E
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 75V 100A SMP-FD
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datenblatt
2SK4065-DL-E.pdf
vorrätig: 4170

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Spezifikation

2SK4065-DL-E Tech -Spezifikationen
onsemi - 2SK4065-DL-E Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - 2SK4065-DL-E

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id -  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SMP-FD  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6mOhm @ 50A, 10V  
Verlustleistung (max) 1.65W (Ta), 90W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 12200 pF @ 20 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 220 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 75 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 100A (Ta)  
Grundproduktnummer 2SK4065  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi 2SK4065-DL-E.

Produkteigenschaften 2SK4065-DL-E 2SK4066-DL-1EX 2SK4066-DL-1EX 2SK4059TK-A
Artikelnummer 2SK4065-DL-E 2SK4066-DL-1EX 2SK4066-DL-1EX 2SK4059TK-A
Hersteller onsemi onsemi Fairchild Semiconductor TOHSIBA
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 100A (Ta) 100A (Ta) 100A (Ta) -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V - - -
Verlustleistung (max) 1.65W (Ta), 90W (Tc) 1.65W (Ta), 90W (Tc) 1.65W (Ta), 90W (Tc) -
Grundproduktnummer 2SK4065 2SK4066 2SK4066 -
Supplier Device-Gehäuse SMP-FD TO-263-2 TO-263-2 -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB -
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel -
Serie - - - -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 12200 pF @ 20 V 12500 pF @ 20 V 12500 pF @ 20 V -
Betriebstemperatur 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 220 nC @ 10 V 220 nC @ 10 V 220 nC @ 10 V -
Vgs (Max) ±20V - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6mOhm @ 50A, 10V 4.7mOhm @ 50A, 10V 4.7mOhm @ 50A, 10V -
FET-Merkmal - - - -
VGS (th) (Max) @ Id - - - -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 75 V 60 V 60 V -
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk -

2SK4065-DL-E Datenblatt PDF

Laden Sie 2SK4065-DL-E PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für 2SK4065-DL-E - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf

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Versandkosten

  1. Verwenden Sie Ihr Expresskonto für den Versand, wenn Sie einen haben.
  2. Verwenden Sie unser Konto für die Sendung.In der folgenden Tabelle finden Sie die ungefähren Gebühren.
(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

  1. Globale gemeinsame Versand von DHL / UPS / FEDEX / TNT / EMS / SF, die wir unterstützen.
  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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    +00852 9146 4856

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