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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-Einzel2SK4197LS
2SK4197LS Image
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2SK4197LS - onsemi

Hersteller Artikelnummer
2SK4197LS
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-2SK4197LS
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 3.5A TO220FI
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3 Full Pack
Datenblatt
2SK4197LS.pdf
vorrätig: 5460

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Spezifikation

2SK4197LS Tech -Spezifikationen
onsemi - 2SK4197LS Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - 2SK4197LS

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 1mA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220FI(LS)  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.25Ohm @ 1.8A, 10V  
Verlustleistung (max) 2W (Ta), 28W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack  
Paket Bulk  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 260 pF @ 30 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3.5A (Tc)  
Grundproduktnummer 2SK4197  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi 2SK4197LS.

Produkteigenschaften 2SK4197LS 2SK4198FS 2SK4197FS 2SK4178-ZK-E1-AY
Artikelnummer 2SK4197LS 2SK4198FS 2SK4197FS 2SK4178-ZK-E1-AY
Hersteller onsemi onsemi onsemi Renesas
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11 nC @ 10 V 14.3 nC @ 10 V 11 nC @ 10 V 24 nC @ 10 V
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack TO-220-3 TO-220-3 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Paket Bulk Tube Tube Bulk
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Surface Mount
Verlustleistung (max) 2W (Ta), 28W (Tc) 2W (Ta), 30W (Tc) 2W (Ta), 28W (Tc) 1W (Ta), 33W (Tc)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3.5A (Tc) 4A (Tc) 3.3A (Tc) 48A (Tc)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V 600 V 600 V 30 V
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.25Ohm @ 1.8A, 10V 2.34Ohm @ 2.5A, 10V 3.25Ohm @ 1.8A, 10V 9mOhm @ 30A, 10V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 4.5V, 10V
Betriebstemperatur 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C
Supplier Device-Gehäuse TO-220FI(LS) TO-220-3 TO-220-3 TO-252 (MP-3ZK)
Grundproduktnummer 2SK4197 2SK4198 2SK4197 -
FET-Merkmal - - - -
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 1mA - - 2.5V @ 250µA
Serie - - - -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 260 pF @ 30 V 360 pF @ 30 V 260 pF @ 30 V 1500 pF @ 10 V

2SK4197LS Datenblatt PDF

Laden Sie 2SK4197LS PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für 2SK4197LS - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi RoHS.pdf
Datenblätter
2SK4197LS.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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