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3LP01S-TL-E - Sanyo

Hersteller Artikelnummer: 3LP01S-TL-E

Hersteller: onsemi

Allelco Artikelnummer: 32D-3LP01S-TL-E

ECAD -Modell

Teile Beschreibung: P-CHANNEL SILICON MOSFET

detaillierte Beschreibung

Verpackung: SC-75, SOT-416

Datenblatt: ~~3LP01S-TL-E.pdf~~

RoHS Status

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vorrätig: 4520

Spezifikation

3LP01S-TL-E Tech -Spezifikationen
Sanyo - 3LP01S-TL-E Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Sanyo - 3LP01S-TL-E

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Hersteller	onsemi
VGS (th) (Max) @ Id	-
Vgs (Max)	±10V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse	SMCP
Serie	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	10.4Ohm @ 50mA, 4V
Verlustleistung (max)	150mW (Ta)
Verpackung / Gehäuse	SC-75, SOT-416
Paket	Bulk

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	7500 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	1.43 nC @ 10 V
Typ FET	P-Channel
FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	1.5V, 4V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	100mA (Ta)
Grundproduktnummer	3LP01

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Sanyo 3LP01S-TL-E.

Produkteigenschaften
Artikelnummer	3LP01S-TL-E	3LP01C-TB-H	3LP01C-TB-E	BSC100N06LS3GATMA1
Hersteller	Sanyo	onsemi	onsemi	Infineon Technologies
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30 V	30 V	30 V	60 V
VGS (th) (Max) @ Id	-	-	-	2.2V @ 23µA
Paket	Bulk	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	100mA (Ta)	100mA (Ta)	100mA (Ta)	12A (Ta), 50A (Tc)
Betriebstemperatur	150°C (TJ)	150°C (TJ)	150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ FET	P-Channel	P-Channel	P-Channel	N-Channel
Grundproduktnummer	3LP01	3LP01	3LP01	BSC100
Supplier Device-Gehäuse	SMCP	SC-59-3/CP3	SC-59-3/CP3	PG-TDSON-8-5
Vgs (Max)	±10V	±10V	±10V	±20V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	7500 pF @ 10 V	7.5 pF @ 10 V	7.5 pF @ 10 V	3500 pF @ 30 V
FET-Merkmal	-	-	-	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	1.5V, 4V	1.5V, 4V	1.5V, 4V	4.5V, 10V
Verpackung / Gehäuse	SC-75, SOT-416	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	8-PowerTDFN
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	1.43 nC @ 10 V	1.43 nC @ 10 V	1.43 nC @ 10 V	45 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	10.4Ohm @ 50mA, 4V	10.4Ohm @ 50mA, 4V	10.4Ohm @ 50mA, 4V	10mOhm @ 50A, 10V
Verlustleistung (max)	150mW (Ta)	250mW (Ta)	250mW (Ta)	2.5W (Ta), 50W (Tc)
Serie	-	-	-	OptiMOS™
Befestigungsart	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region	Land	Logistische Zeit (Tag)
Amerika	Vereinigte Staaten	5
Amerika	Brasilien	7
Europa	Deutschland	5
	Großbritannien	4
	Italien	5
Ozeanien	Australien	6
Ozeanien	Neuseeland	5
Asien	Indien	4
Asien	Japan	4
Naher Osten	Israel	6

DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG)	Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg	USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg	USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg	USD$50.00 - USD$100.00

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