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ZuhauseProdukteIsolatorenOptoisolatoren-Transistor, Photovoltaik-Ausgang4N25VM
4N25VM Image
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4N25VM - onsemi

Hersteller Artikelnummer
4N25VM
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-4N25VM
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
OPTOISO 4.17KV TRANS W/BASE 6DIP
detaillierte Beschreibung
Verpackung
6-DIP (0.300', 7.62mm)
Datenblatt
Cylindrical Battery Holders.pdf
Cylindrical Battery Holders.pdf
RoHS Status
vorrätig: 164650

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Anzahl

Spezifikation

4N25VM Tech -Spezifikationen
onsemi - 4N25VM Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - 4N25VM

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
Spannung - Ausgabe (max) 30V  
Spannung - Isolation 4170Vrms  
Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ) 1.18V  
VCE Sätttigung (max) 500mV  
Ein- / Ausschaltzeit (Typ) 2µs, 2µs  
Supplier Device-Gehäuse 6-DIP  
Serie -  
Aufstieg / Fallzeit (Typ) -  
Verpackung / Gehäuse 6-DIP (0.300', 7.62mm)  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Ausgabetyp Transistor with Base  
Betriebstemperatur -40°C ~ 100°C  
Anzahl der Kanäle 1  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabetyp DC  
Gleichstrom-Übertragungsverhältnis (min) 20% @ 10mA  
Stromübertragungsverhältnis (max) -  
Strom - Ausgang / Kanal -  
Strom - DC Vorwärts (If) (Max) 60 mA  
Grundproduktnummer 4N25  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi 4N25VM.

Produkteigenschaften 4N25VM 4N26SM 4N25-X017T 4N25S-TA1
Artikelnummer 4N25VM 4N26SM 4N25-X017T 4N25S-TA1
Hersteller onsemi onsemi Vishay Semiconductor Opto Division Lite-On Inc.
Ausgabetyp Transistor with Base Transistor with Base Transistor with Base Transistor with Base
Betriebstemperatur -40°C ~ 100°C -40°C ~ 100°C -55°C ~ 100°C -55°C ~ 100°C
Verpackung / Gehäuse 6-DIP (0.300', 7.62mm) 6-SMD, Gull Wing 6-SMD, Gull Wing 6-SMD, Gull Wing
Strom - Ausgang / Kanal - - 50mA 100mA
Befestigungsart Through Hole Surface Mount Surface Mount Surface Mount
VCE Sätttigung (max) 500mV 500mV 500mV 500mV
Grundproduktnummer 4N25 4N26 4N25 4N25
Supplier Device-Gehäuse 6-DIP 6-SMD 6-SMD 6-SMD
Serie - - - 4N2X
Ein- / Ausschaltzeit (Typ) 2µs, 2µs 2µs, 2µs - -
Spannung - Isolation 4170Vrms 4170Vrms 5000Vrms 2500Vrms
Strom - DC Vorwärts (If) (Max) 60 mA 60 mA 60 mA 80 mA
Spannung - Ausgabe (max) 30V 30V 70V 30V
Aufstieg / Fallzeit (Typ) - - 2µs, 2µs 3µs, 3µs
Anzahl der Kanäle 1 1 1 1
Stromübertragungsverhältnis (max) - - - -
Gleichstrom-Übertragungsverhältnis (min) 20% @ 10mA 20% @ 10mA 20% @ 10mA 20% @ 10mA
Paket Tube Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ) 1.18V 1.18V 1.36V 1.2V
Eingabetyp DC DC DC DC

4N25VM Datenblatt PDF

Laden Sie 4N25VM PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für 4N25VM - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi RoHS.pdf onsemi REACH.pdf Material Declaration 4N25VM.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Cylindrical Battery Holders.pdf
PCN -Verpackung
2.73KHz.pdf
HTML -Datenblatt
Cylindrical Battery Holders.pdf
Datenblätter
Cylindrical Battery Holders.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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32D-4N25VM

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