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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-Einzel5HN01M-TL-E
5HN01M-TL-E Image
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5HN01M-TL-E - onsemi

Hersteller Artikelnummer
5HN01M-TL-E
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-5HN01M-TL-E
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 50V 100MA 3MCP
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SC-70, SOT-323
Datenblatt
5HN01M.pdf
vorrätig: 4580

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Spezifikation

5HN01M-TL-E Tech -Spezifikationen
onsemi - 5HN01M-TL-E Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - 5HN01M-TL-E

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id -  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse MCP  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.5Ohm @ 50mA, 10V  
Verlustleistung (max) 150mW (Ta)  
Verpackung / Gehäuse SC-70, SOT-323  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 6.2 pF @ 10 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.4 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 50 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 100mA (Ta)  
Grundproduktnummer 5HN01  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi 5HN01M-TL-E.

Produkteigenschaften 5HN01M-TL-E IRFU2905Z 5HN01M-TL-H 5HN01S-TL-E
Artikelnummer 5HN01M-TL-E IRFU2905Z 5HN01M-TL-H 5HN01S-TL-E
Hersteller onsemi Infineon Technologies onsemi onsemi
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 6.2 pF @ 10 V 1380 pF @ 25 V 6.2 pF @ 10 V -
Befestigungsart Surface Mount Through Hole Surface Mount Surface Mount
Paket Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Grundproduktnummer 5HN01 - 5HN01 5HN01
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 100mA (Ta) 42A (Tc) 100mA (Ta) -
Betriebstemperatur 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) 150°C (TJ) -
Serie - HEXFET® - -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 50 V 55 V 50 V -
Verlustleistung (max) 150mW (Ta) 110W (Tc) 150mW (Ta) -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.5Ohm @ 50mA, 10V 14.5mOhm @ 36A, 10V 7.5Ohm @ 50mA, 10V -
FET-Merkmal - - - -
Verpackung / Gehäuse SC-70, SOT-323 TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA SC-70, SOT-323 SC-75, SOT-416
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.4 nC @ 10 V 44 nC @ 10 V 1.4 nC @ 10 V -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V 10V 4V, 10V -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Supplier Device-Gehäuse MCP IPAK (TO-251AA) MCP SMCP
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V -
VGS (th) (Max) @ Id - 4V @ 250µA - -

5HN01M-TL-E Datenblatt PDF

Laden Sie 5HN01M-TL-E PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für 5HN01M-TL-E - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
EOL 21/Apr/2016.pdf
Datenblätter
5HN01M.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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