5LN01SS-TL-H Tech -Spezifikationen
onsemi - 5LN01SS-TL-H Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - 5LN01SS-TL-H

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Hersteller	onsemi
VGS (th) (Max) @ Id	-
Vgs (Max)	±10V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse	3-SSFP
Serie	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	7.8Ohm @ 50mA, 4V
Verlustleistung (max)	150mW (Ta)
Verpackung / Gehäuse	SC-81
Paket	Tape & Reel (TR)

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	6.6 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	1.57 nC @ 10 V
Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	1.5V, 4V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	50 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	100mA (Ta)
Grundproduktnummer	5LN01

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi 5LN01SS-TL-H.

Produkteigenschaften
Artikelnummer	5LN01SS-TL-H	IRF7821TRPBF	5LN01M-TL-H	HUF75343P3
Hersteller	onsemi	Infineon Technologies	onsemi	onsemi
FET-Merkmal	-	-	-	-
Typ FET	N-Channel	N-Channel	N-Channel	N-Channel
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	1.5V, 4V	4.5V, 10V	1.5V, 4V	10V
Verpackung / Gehäuse	SC-81	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	SC-70, SOT-323	TO-220-3
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	100mA (Ta)	13.6A (Ta)	100mA (Ta)	75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	7.8Ohm @ 50mA, 4V	9.1mOhm @ 13A, 10V	7.8Ohm @ 50mA, 4V	9mOhm @ 75A, 10V
Serie	-	HEXFET®	-	UltraFET™
Vgs (Max)	±10V	±20V	±10V	±20V
Grundproduktnummer	5LN01	IRF7821	5LN01	HUF75
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)
Paket	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Tube
Befestigungsart	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount	Through Hole
VGS (th) (Max) @ Id	-	1V @ 250µA	-	4V @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse	3-SSFP	8-SO	MCP	TO-220-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	1.57 nC @ 10 V	14 nC @ 4.5 V	1.57 nC @ 10 V	205 nC @ 20 V
Verlustleistung (max)	150mW (Ta)	2.5W (Ta)	150mW (Ta)	270W (Tc)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	6.6 pF @ 10 V	1010 pF @ 15 V	6.6 pF @ 10 V	3000 pF @ 25 V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	50 V	30 V	50 V	55 V
Betriebstemperatur	150°C (TJ)	-55°C ~ 155°C (TJ)	150°C (TJ)	-55°C ~ 175°C (TJ)

5LN01SS-TL-H Datenblatt PDF

Laden Sie 5LN01SS-TL-H PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für 5LN01SS-TL-H - onsemi herunter.

Umweltinformationen: onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL: Mult Devices 28/Apr/2017.pdf
Datenblätter: 5LN01SS.pdf

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Europa	Deutschland	5
	Großbritannien	4
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Ozeanien	Neuseeland	5
Asien	Indien	4
Asien	Japan	4
Naher Osten	Israel	6

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0.00kg-1.00kg	USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg	USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg	USD$50.00 - USD$100.00

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