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ZuhauseProdukteIsolatorenOptoisolatoren-Transistor, Photovoltaik-Ausgang6N135WV
6N135WV Image
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6N135WV - onsemi

Hersteller Artikelnummer
6N135WV
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-6N135WV
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
OPTOISO 2.5KV TRANS W/BASE 8DIP
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-DIP (0.400', 10.16mm)
Datenblatt
Cylindrical Battery Holders.pdf
vorrätig: 5350

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Anzahl

Spezifikation

6N135WV Tech -Spezifikationen
onsemi - 6N135WV Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - 6N135WV

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
Spannung - Ausgabe (max) 20V  
Spannung - Isolation 2500Vrms  
Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ) 1.45V  
VCE Sätttigung (max) -  
Ein- / Ausschaltzeit (Typ) 450ns, 500ns  
Supplier Device-Gehäuse 8-MDIP  
Serie -  
Aufstieg / Fallzeit (Typ) -  
Verpackung / Gehäuse 8-DIP (0.400', 10.16mm)  
Paket Bulk  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Ausgabetyp Transistor with Base  
Betriebstemperatur -55°C ~ 100°C  
Anzahl der Kanäle 1  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabetyp DC  
Gleichstrom-Übertragungsverhältnis (min) 7% @ 16mA  
Stromübertragungsverhältnis (max) 50% @ 16mA  
Strom - Ausgang / Kanal 8mA  
Strom - DC Vorwärts (If) (Max) 25 mA  
Grundproduktnummer 6N135  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi 6N135WV.

Produkteigenschaften 6N135WV 6N136-000E 6N135SDV 6N135SD
Artikelnummer 6N135WV 6N136-000E 6N135SDV 6N135SD
Hersteller onsemi Broadcom Limited onsemi onsemi
Anzahl der Kanäle 1 1 1 1
Betriebstemperatur -55°C ~ 100°C -55°C ~ 100°C -55°C ~ 100°C -55°C ~ 100°C
Strom - Ausgang / Kanal 8mA 8mA 8mA 8mA
Aufstieg / Fallzeit (Typ) - - - -
Verpackung / Gehäuse 8-DIP (0.400', 10.16mm) 8-DIP (0.300", 7.62mm) 8-SMD, Gull Wing 8-SMD, Gull Wing
Grundproduktnummer 6N135 6N136 6N135 6N135
Paket Bulk Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ) 1.45V 1.5V 1.45V 1.45V
Serie - - - -
Eingabetyp DC DC DC DC
Ausgabetyp Transistor with Base Transistor with Base Transistor with Base Transistor with Base
Spannung - Isolation 2500Vrms 3750Vrms 2500Vrms 2500Vrms
Befestigungsart Through Hole Through Hole Surface Mount Surface Mount
Strom - DC Vorwärts (If) (Max) 25 mA 25 mA 25 mA 25 mA
Stromübertragungsverhältnis (max) 50% @ 16mA 50% @ 16mA 50% @ 16mA 50% @ 16mA
Supplier Device-Gehäuse 8-MDIP 8-DIP 8-SMD 8-SMD
Gleichstrom-Übertragungsverhältnis (min) 7% @ 16mA 19% @ 16mA 7% @ 16mA 7% @ 16mA
Ein- / Ausschaltzeit (Typ) 450ns, 500ns 200ns, 600ns 450ns, 500ns 450ns, 500ns
VCE Sätttigung (max) - - - -
Spannung - Ausgabe (max) 20V 20V 20V 20V

6N135WV Datenblatt PDF

Laden Sie 6N135WV PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für 6N135WV - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi RoHS.pdf
Datenblätter
Cylindrical Battery Holders.pdf

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Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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    +00852 9146 4856

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