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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelATP202-TL-H
onsemi
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

ATP202-TL-H - onsemi

Hersteller Artikelnummer
ATP202-TL-H
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-ATP202-TL-H
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 50A ATPAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
ATPAK (2 Leads+Tab)
Datenblatt
ATP202.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4460

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Anzahl

Spezifikation

ATP202-TL-H Tech -Spezifikationen
onsemi - ATP202-TL-H Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - ATP202-TL-H

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id -  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse ATPAK  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12mOhm @ 25A, 10V  
Verlustleistung (max) 40W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse ATPAK (2 Leads+Tab)  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1650 pF @ 10 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 27 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 50A (Ta)  
Grundproduktnummer ATP202  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi ATP202-TL-H.

Produkteigenschaften ATP202-TL-H ATP201-TL-H ATP108-TL-H ATP112-TL-H
Artikelnummer ATP202-TL-H ATP201-TL-H ATP108-TL-H ATP112-TL-H
Hersteller onsemi onsemi onsemi onsemi
Supplier Device-Gehäuse ATPAK ATPAK ATPAK ATPAK
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4V, 10V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Grundproduktnummer ATP202 ATP201 ATP108 ATP112
VGS (th) (Max) @ Id - - - -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 50A (Ta) 35A (Ta) 70A (Ta) 25A (Ta)
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Verlustleistung (max) 40W (Tc) 30W (Tc) 60W (Tc) 40W (Tc)
FET-Merkmal - - - -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Serie - - - -
Typ FET N-Channel N-Channel P-Channel P-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12mOhm @ 25A, 10V 17mOhm @ 18A, 10V 10.4mOhm @ 35A, 10V 43mOhm @ 13A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 27 nC @ 10 V 17 nC @ 10 V 79.5 nC @ 10 V 33.5 nC @ 10 V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 30 V 40 V 60 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1650 pF @ 10 V 985 pF @ 10 V 3850 pF @ 20 V 1450 pF @ 20 V
Verpackung / Gehäuse ATPAK (2 Leads+Tab) ATPAK (2 Leads+Tab) ATPAK (2 Leads+Tab) ATPAK (2 Leads+Tab)

ATP202-TL-H Datenblatt PDF

Laden Sie ATP202-TL-H PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für ATP202-TL-H - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Lead Frame Material Update 09/Apr/2014.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Dev EOL 7/Apr/2021.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Wafer Fab Site Addition 23/Dec/2014.pdf
Datenblätter
ATP202.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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