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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-Bipolar (BJT)-EinzelBC849CLT1G
BC849CLT1G Image
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BC849CLT1G - onsemi

Hersteller Artikelnummer
BC849CLT1G
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-BC849CLT1G
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS NPN 30V 0.1A SOT23-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Datenblatt
BC846ALT1G Series.pdf
RoHS Status
vorrätig: 1439100

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Anzahl

Spezifikation

BC849CLT1G Tech -Spezifikationen
onsemi - BC849CLT1G Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - BC849CLT1G

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 30 V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 600mV @ 5mA, 100mA  
Transistor-Typ NPN  
Supplier Device-Gehäuse SOT-23-3 (TO-236)  
Serie -  
Leistung - max 300 mW  
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Tape & Reel (TR)  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Frequenz - Übergang 100MHz  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 420 @ 2mA, 5V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 15nA (ICBO)  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100 mA  
Grundproduktnummer BC849  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi BC849CLT1G.

Produkteigenschaften BC849CLT1G BC849CW BC849C BC850AMTF
Artikelnummer BC849CLT1G BC849CW BC849C BC850AMTF
Hersteller onsemi Taiwan Semiconductor Corporation Yangjie Technology Fairchild Semiconductor
Frequenz - Übergang 100MHz 100MHz 100MHz 300MHz
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 30 V 30 V 30 V 45 V
Leistung - max 300 mW 200 mW 225 mW 310 mW
Grundproduktnummer BC849 BC849 - BC850
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 420 @ 2mA, 5V 420 @ 2mA, 5V 420 @ 2mA, 5V 110 @ 2mA, 5V
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100 mA 100 mA 100 mA 100 mA
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk
Strom - Collector Cutoff (Max) 15nA (ICBO) 15nA (ICBO) 100nA 15nA (ICBO)
Transistor-Typ NPN NPN NPN NPN
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C 150°C (TJ)
Serie - - - -
Supplier Device-Gehäuse SOT-23-3 (TO-236) SOT-323 SOT-23 SOT-23-3
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SC-70, SOT-323 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 600mV @ 5mA, 100mA 600mV @ 5mA, 100mA 500mV @ 5mA, 100mA 600mV @ 5mA, 100mA

BC849CLT1G Datenblatt PDF

Laden Sie BC849CLT1G PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für BC849CLT1G - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
SOT23 16/Sep/2016.pdf Glue Mount Process 11/July/2008.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mold Compound 02/Apr/2020.pdf
Datenblätter
BC846ALT1G Series.pdf

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Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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