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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-Bipolar (BJT)-EinzelBC856BWT1G
BC856BWT1G Image
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BC856BWT1G - onsemi

Hersteller Artikelnummer
BC856BWT1G
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-BC856BWT1G
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS PNP 65V 0.1A SC70-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SC-70, SOT-323
Datenblatt
BC856B-58B.pdf
RoHS Status
vorrätig: 1543450

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Anzahl

Spezifikation

BC856BWT1G Tech -Spezifikationen
onsemi - BC856BWT1G Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - BC856BWT1G

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 65 V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 650mV @ 5mA, 100mA  
Transistor-Typ PNP  
Supplier Device-Gehäuse SC-70-3 (SOT323)  
Serie -  
Leistung - max 150 mW  
Verpackung / Gehäuse SC-70, SOT-323  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Tape & Reel (TR)  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Frequenz - Übergang 100MHz  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 220 @ 2mA, 5V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 15nA (ICBO)  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100 mA  
Grundproduktnummer BC856  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi BC856BWT1G.

Produkteigenschaften BC856BWT1G BC856CMTF BC856CMTF BC856BWT1
Artikelnummer BC856BWT1G BC856CMTF BC856CMTF BC856BWT1
Hersteller onsemi Fairchild Semiconductor onsemi onsemi
Strom - Collector Cutoff (Max) 15nA (ICBO) 15nA (ICBO) 15nA (ICBO) -
Leistung - max 150 mW 310 mW 310 mW -
Frequenz - Übergang 100MHz 150MHz 150MHz -
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 650mV @ 5mA, 100mA 650mV @ 5mA, 100mA 650mV @ 5mA, 100mA -
Supplier Device-Gehäuse SC-70-3 (SOT323) SOT-23-3 SOT-23-3 -
Verpackung / Gehäuse SC-70, SOT-323 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 -
Grundproduktnummer BC856 BC856 BC856 BC856
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount -
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 220 @ 2mA, 5V 420 @ 2mA, 5V 420 @ 2mA, 5V -
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) -
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 65 V 65 V 65 V -
Serie - - - -
Paket Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) Bulk
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100 mA 100 mA 100 mA -
Transistor-Typ PNP PNP PNP -

BC856BWT1G Datenblatt PDF

Laden Sie BC856BWT1G PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für BC856BWT1G - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Copper Wire 19/May/2010.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev 05/Dec/2019.pdf
Datenblätter
BC856B-58B.pdf

Lieferung

Lieferzeit

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(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

  1. Globale gemeinsame Versand von DHL / UPS / FEDEX / TNT / EMS / SF, die wir unterstützen.
  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
Die obige Tabelle dient nur als Referenz.Möglicherweise gibt es einige Datenverzerrungen für die unkontrollierbaren Faktoren.
Kontaktieren Sie uns, wenn Sie Fragen haben.

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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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    +00852 9146 4856

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BC856BWT1G

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32D-BC856BWT1G

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