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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-Bipolar (BJT)-EinzelBCW30LT1G
BCW30LT1G Image
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BCW30LT1G - onsemi

Hersteller Artikelnummer
BCW30LT1G
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-BCW30LT1G
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS PNP 32V 0.1A SOT23-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Datenblatt
BCW,SBCW30LT1G.pdf
RoHS Status
vorrätig: 928600

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Anzahl

Spezifikation

BCW30LT1G Tech -Spezifikationen
onsemi - BCW30LT1G Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - BCW30LT1G

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 32 V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA  
Transistor-Typ PNP  
Supplier Device-Gehäuse SOT-23-3 (TO-236)  
Serie -  
Leistung - max 300 mW  
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Tape & Reel (TR)  
Betriebstemperatur -65°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Frequenz - Übergang -  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 215 @ 2mA, 5V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100 mA  
Grundproduktnummer BCW30  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi BCW30LT1G.

Produkteigenschaften BCW30LT1G BCW33LT1G BCW33T116 BCW32LT1G
Artikelnummer BCW30LT1G BCW33LT1G BCW33T116 BCW32LT1G
Hersteller onsemi onsemi Rohm Semiconductor onsemi
Leistung - max 300 mW 300 mW - 225 mW
Supplier Device-Gehäuse SOT-23-3 (TO-236) SOT-23-3 (TO-236) SST3 SOT-23-3 (TO-236)
Frequenz - Übergang - - - -
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA 250mV @ 500µA, 10mA - 250mV @ 500µA, 10mA
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 215 @ 2mA, 5V 420 @ 2mA, 5V 420 @ 2mA, 5V 200 @ 2mA, 5V
Serie - - - -
Grundproduktnummer BCW30 BCW33 BCW33 BCW32
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100 mA 100 mA 100 mA 100 mA
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 32 V 32 V 32 V 32 V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Strom - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO) 100nA (ICBO) - 100nA (ICBO)
Betriebstemperatur -65°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor-Typ PNP NPN NPN NPN

BCW30LT1G Datenblatt PDF

Laden Sie BCW30LT1G PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für BCW30LT1G - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
SOT23 16/Sep/2016.pdf Gold to Copper Wire 08/May/2007.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mold Compound 02/Apr/2020.pdf
Datenblätter
BCW,SBCW30LT1G.pdf

Lieferung

Lieferzeit

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Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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