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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-Bipolar (BJT)-EinzelBD13910S
onsemi
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BD13910S - onsemi

Hersteller Artikelnummer
BD13910S
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-BD13910S
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS NPN 80V 1.5A TO126-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-225AA, TO-126-3
Datenblatt
BD135/137/139.pdf
RoHS Status
vorrätig: 201400

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Spezifikation

BD13910S Tech -Spezifikationen
onsemi - BD13910S Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - BD13910S

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 80 V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 50mA, 500mA  
Transistor-Typ NPN  
Supplier Device-Gehäuse TO-126-3  
Serie -  
Leistung - max 1.25 W  
Verpackung / Gehäuse TO-225AA, TO-126-3  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Bulk  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Frequenz - Übergang -  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 63 @ 150mA, 2V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 1.5 A  
Grundproduktnummer BD13910  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi BD13910S.

Produkteigenschaften BD13910S BD138G BD13916STU BD13810STU
Artikelnummer BD13910S BD138G BD13916STU BD13810STU
Hersteller onsemi onsemi onsemi onsemi
Strom - Kollektor (Ic) (max) 1.5 A 1.5 A 1.5 A 1.5 A
Leistung - max 1.25 W 1.25 W 1.25 W 1.25 W
Strom - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO) 100nA (ICBO) 100nA (ICBO) 100nA (ICBO)
Paket Bulk Bulk Tube Tube
Frequenz - Übergang - - - -
Grundproduktnummer BD13910 BD138 BD13916 BD138
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 50mA, 500mA 500mV @ 50mA, 500mA 500mV @ 50mA, 500mA 500mV @ 50mA, 500mA
Supplier Device-Gehäuse TO-126-3 TO-126 TO-126-3 TO-126-3
Verpackung / Gehäuse TO-225AA, TO-126-3 TO-225AA, TO-126-3 TO-225AA, TO-126-3 TO-225AA, TO-126-3
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 80 V 60 V 80 V 60 V
Serie - - - -
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 63 @ 150mA, 2V 40 @ 150mA, 2V 100 @ 150mA, 2V 63 @ 150mA, 2V
Transistor-Typ NPN PNP NPN PNP
Betriebstemperatur 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole

BD13910S Datenblatt PDF

Laden Sie BD13910S PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für BD13910S - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Logo 17/Aug/2017.pdf
PCN -Verpackung
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev Assembly Chgs 17/Nov/2020.pdf
Datenblätter
BD135/137/139.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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