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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-Bipolar (BJT)-EinzelBD433S
onsemi
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

BD433S - onsemi

Hersteller Artikelnummer
BD433S
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-BD433S
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS NPN 22V 4A TO126-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-225AA, TO-126-3
Datenblatt
BD433/435/437.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4260

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Anzahl

Spezifikation

BD433S Tech -Spezifikationen
onsemi - BD433S Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - BD433S

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 22 V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 200mA, 2A  
Transistor-Typ NPN  
Supplier Device-Gehäuse TO-126-3  
Serie -  
Leistung - max 36 W  
Verpackung / Gehäuse TO-225AA, TO-126-3  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Bulk  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Frequenz - Übergang 3MHz  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 40 @ 10mA, 5V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 100µA  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 4 A  
Grundproduktnummer BD433  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi BD433S.

Produkteigenschaften BD433S BD434STU BD434S BD434S
Artikelnummer BD433S BD434STU BD434S BD434S
Hersteller onsemi onsemi Fairchild Semiconductor onsemi
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 200mA, 2A 500mV @ 200mA, 2A 500mV @ 200mA, 2A 500mV @ 200mA, 2A
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Grundproduktnummer BD433 BD434 - BD434
Betriebstemperatur 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Paket Bulk Tube Bulk Bulk
Strom - Kollektor (Ic) (max) 4 A 4 A 4 A 4 A
Verpackung / Gehäuse TO-225AA, TO-126-3 TO-225AA, TO-126-3 TO-225AA, TO-126-3 TO-225AA, TO-126-3
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 22 V 22 V 22 V 22 V
Supplier Device-Gehäuse TO-126-3 TO-126-3 TO-126-3 TO-126-3
Leistung - max 36 W 36 W 36 W 36 W
Serie - - - -
Strom - Collector Cutoff (Max) 100µA 100µA 100µA 100µA
Frequenz - Übergang 3MHz 3MHz 3MHz 3MHz
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 40 @ 10mA, 5V 40 @ 10mA, 5V 40 @ 10mA, 5V 40 @ 10mA, 5V
Transistor-Typ NPN PNP PNP PNP

BD433S Datenblatt PDF

Laden Sie BD433S PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für BD433S - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Logo 17/Aug/2017.pdf
PCN -Verpackung
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Dev EOL 08/Jul/2021.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev Assembly Chgs 17/Nov/2020.pdf
Datenblätter
BD433/435/437.pdf

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Lieferzeit

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  2. Verwenden Sie unser Konto für die Sendung.In der folgenden Tabelle finden Sie die ungefähren Gebühren.
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Versandart

  1. Globale gemeinsame Versand von DHL / UPS / FEDEX / TNT / EMS / SF, die wir unterstützen.
  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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