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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-Bipolar (BJT)-EinzelBD435S
onsemi
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

BD435S - onsemi

Hersteller Artikelnummer
BD435S
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-BD435S
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS NPN 32V 4A TO126-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-225AA, TO-126-3
Datenblatt
BD433/435/437.pdf
RoHS Status
vorrätig: 5280

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Anzahl

Spezifikation

BD435S Tech -Spezifikationen
onsemi - BD435S Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - BD435S

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 32 V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 200mA, 2A  
Transistor-Typ NPN  
Supplier Device-Gehäuse TO-126-3  
Serie -  
Leistung - max 36 W  
Verpackung / Gehäuse TO-225AA, TO-126-3  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Bulk  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Frequenz - Übergang 3MHz  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 40 @ 10mA, 5V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 100µA  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 4 A  
Grundproduktnummer BD435  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi BD435S.

Produkteigenschaften BD435S BD435S BD434STU BD437S
Artikelnummer BD435S BD435S BD434STU BD437S
Hersteller onsemi Fairchild Semiconductor onsemi Fairchild Semiconductor
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 40 @ 10mA, 5V 40 @ 10mA, 5V 40 @ 10mA, 5V 30 @ 10mA, 5V
Betriebstemperatur 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Paket Bulk Bulk Tube Bulk
Strom - Kollektor (Ic) (max) 4 A 4 A 4 A 4 A
Frequenz - Übergang 3MHz 3MHz 3MHz 3MHz
Leistung - max 36 W 36 W 36 W 36 W
Grundproduktnummer BD435 BD435 BD434 BD437
Supplier Device-Gehäuse TO-126-3 TO-126-3 TO-126-3 TO-126-3
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 32 V 32 V 22 V 45 V
Verpackung / Gehäuse TO-225AA, TO-126-3 TO-225AA, TO-126-3 TO-225AA, TO-126-3 TO-225AA, TO-126-3
Transistor-Typ NPN NPN PNP NPN
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Strom - Collector Cutoff (Max) 100µA 100µA 100µA 100µA
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 200mA, 2A 500mV @ 200mA, 2A 500mV @ 200mA, 2A 600mV @ 200mA, 2A
Serie - - - -

BD435S Datenblatt PDF

Laden Sie BD435S PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für BD435S - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Logo 17/Aug/2017.pdf
PCN -Verpackung
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Dev EOL 16/Jul/2019.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Devices Mold change 19/Mar/2019.pdf
Datenblätter
BD433/435/437.pdf

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Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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    +00852 9146 4856

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