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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelBMS3003-1E
onsemi
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

BMS3003-1E - onsemi

Hersteller Artikelnummer
BMS3003-1E
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-BMS3003-1E
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 60V 78A TO220F-3SG
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3 Full Pack
Datenblatt
BMS3003.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4470

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Anzahl

Spezifikation

BMS3003-1E Tech -Spezifikationen
onsemi - BMS3003-1E Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - BMS3003-1E

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id -  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220F-3SG  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.5mOhm @ 39A, 10V  
Verlustleistung (max) 2W (Ta), 40W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 13200 pF @ 20 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 285 nC @ 10 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 78A (Ta)  
Grundproduktnummer BMS30  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi BMS3003-1E.

Produkteigenschaften BMS3003-1E IXTH15N50L2 FQPF6P25 IRF1018ESPBF
Artikelnummer BMS3003-1E IXTH15N50L2 FQPF6P25 IRF1018ESPBF
Hersteller onsemi IXYS Fairchild Semiconductor Infineon Technologies
Grundproduktnummer BMS30 IXTH15 - -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 13200 pF @ 20 V 4080 pF @ 25 V 780 pF @ 25 V 2290 pF @ 50 V
Paket Tube Tube Tube Tube
Typ FET P-Channel N-Channel P-Channel N-Channel
Vgs (Max) ±20V ±20V ±30V ±20V
VGS (th) (Max) @ Id - 4.5V @ 250µA 5V @ 250µA 4V @ 100µA
Supplier Device-Gehäuse TO-220F-3SG TO-247 (IXTH) TO-220F-3 D2PAK
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V 10V 10V 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V 500 V 250 V 60 V
Verlustleistung (max) 2W (Ta), 40W (Tc) 300W (Tc) 45W (Tc) 110W (Tc)
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack TO-247-3 TO-220-3 Full Pack TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
FET-Merkmal - - - -
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Surface Mount
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 78A (Ta) 15A (Tc) 4.2A (Tc) 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.5mOhm @ 39A, 10V 480mOhm @ 7.5A, 10V 1.1Ohm @ 2.1A, 10V 8.4mOhm @ 47A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 285 nC @ 10 V 123 nC @ 10 V 27 nC @ 10 V 69 nC @ 10 V
Serie - Linear L2™ QFET® HEXFET®

BMS3003-1E Datenblatt PDF

Laden Sie BMS3003-1E PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für BMS3003-1E - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi RoHS.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev Assembly/Mold Chg 20/Mar/2019.pdf
Datenblätter
BMS3003.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
BMS300 01/Sep/2020.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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