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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelBS170-D26Z
BS170-D26Z Image
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BS170-D26Z - onsemi

Hersteller Artikelnummer
BS170-D26Z
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-BS170-D26Z
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Datenblatt
BS170-D26Z.pdf
RoHS Status
vorrätig: 375840

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Anzahl

Spezifikation

BS170-D26Z Tech -Spezifikationen
onsemi - BS170-D26Z Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - BS170-D26Z

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-92-3  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5Ohm @ 200mA, 10V  
Verlustleistung (max) 830mW (Ta)  
Verpackung / Gehäuse TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 40 pF @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 500mA (Ta)  
Grundproduktnummer BS170  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi BS170-D26Z.

Produkteigenschaften BS170-D26Z BS170-D75Z BS108ZL1G BS107P
Artikelnummer BS170-D26Z BS170-D75Z BS108ZL1G BS107P
Hersteller onsemi onsemi onsemi Diodes Incorporated
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 40 pF @ 10 V 40 pF @ 10 V 150 pF @ 25 V -
Paket Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Cut Tape (CT) Bulk
Verpackung / Gehäuse TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads) TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 1mA 3V @ 1mA 1.5V @ 1mA -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V 60 V 200 V 200 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5Ohm @ 200mA, 10V 5Ohm @ 200mA, 10V 8Ohm @ 100mA, 2.8V 30Ohm @ 100mA, 5V
FET-Merkmal - - - -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 2V, 2.8V 2.6V, 5V
Supplier Device-Gehäuse TO-92-3 TO-92-3 TO-92 (TO-226) TO-92
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Serie - - - -
Grundproduktnummer BS170 BS170 BS108 BS107
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Verlustleistung (max) 830mW (Ta) 830mW (Ta) 350mW (Ta) 500mW (Ta)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 500mA (Ta) 500mA (Ta) 250mA (Ta) 120mA (Ta)

BS170-D26Z Datenblatt PDF

Laden Sie BS170-D26Z PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für BS170-D26Z - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Logo 17/Aug/2017.pdf
PCN -Verpackung
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf TO92 Packing Updates 01/Jul/2015.pdf
PCN -Teilenummer
Mult Device Part Number Chg 30/May/2017.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev Site Transfer.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
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Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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