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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelBSS138LT3G
BSS138LT3G Image
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BSS138LT3G - onsemi

Hersteller Artikelnummer
BSS138LT3G
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-BSS138LT3G
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Datenblatt
BSS138LT1 Datasheet.pdf
RoHS Status
vorrätig: 494600

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Anzahl

Spezifikation

BSS138LT3G Tech -Spezifikationen
onsemi - BSS138LT3G Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - BSS138LT3G

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 1.5V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SOT-23-3 (TO-236)  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.5Ohm @ 200mA, 5V  
Verlustleistung (max) 225mW (Ta)  
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 50 pF @ 25 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 50 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 200mA (Ta)  
Grundproduktnummer BSS138  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi BSS138LT3G.

Produkteigenschaften BSS138LT3G BSS138LT1G BSS138NH6327XTSA2 BSS138L
Artikelnummer BSS138LT3G BSS138LT1G BSS138NH6327XTSA2 BSS138L
Hersteller onsemi onsemi Infineon Technologies onsemi
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Verlustleistung (max) 225mW (Ta) 225mW (Ta) 360mW (Ta) 350mW (Ta)
Grundproduktnummer BSS138 BSS138 BSS138 BSS138
Supplier Device-Gehäuse SOT-23-3 (TO-236) SOT-23-3 (TO-236) PG-SOT23 SOT-23-3
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 50 pF @ 25 V 50 pF @ 25 V 41 pF @ 25 V 50 pF @ 25 V
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 5V 5V 4.5V, 10V 2.75V, 5V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.5Ohm @ 200mA, 5V 3.5Ohm @ 200mA, 5V 3.5Ohm @ 230mA, 10V 3.5Ohm @ 200mA, 5V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 200mA (Ta) 200mA (Ta) 230mA (Ta) 200mA (Ta)
VGS (th) (Max) @ Id 1.5V @ 1mA 1.5V @ 1mA 1.4V @ 26µA 1.5V @ 1mA
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
FET-Merkmal - - - -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 50 V 50 V 60 V 50 V
Serie - - SIPMOS® -
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)

BSS138LT3G Datenblatt PDF

Laden Sie BSS138LT3G PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für BSS138LT3G - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
SOT23 16/Sep/2016.pdf Copper Wire 26/May/2009.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev Mold Comp Chg 1/Apr/2020.pdf
Datenblätter
BSS138LT1 Datasheet.pdf

Lieferung

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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