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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelBVSS123LT1G
BVSS123LT1G Image
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BVSS123LT1G - onsemi

Hersteller Artikelnummer
BVSS123LT1G
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-BVSS123LT1G
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Datenblatt
BSS123LT1G, BVSS123LT1G.pdf
RoHS Status
vorrätig: 430950

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Spezifikation

BVSS123LT1G Tech -Spezifikationen
onsemi - BVSS123LT1G Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - BVSS123LT1G

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 2.8V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SOT-23-3 (TO-236)  
Serie Automotive, AEC-Q101  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6Ohm @ 100mA, 10V  
Verlustleistung (max) 225mW (Ta)  
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 20 pF @ 25 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 170mA (Ta)  
Grundproduktnummer BVSS123  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi BVSS123LT1G.

Produkteigenschaften BVSS123LT1G IXTP05N100 STE40NC60 TN0106N3-G-P003
Artikelnummer BVSS123LT1G IXTP05N100 STE40NC60 TN0106N3-G-P003
Hersteller onsemi IXYS STMicroelectronics Microchip Technology
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 4.5V, 10V
Grundproduktnummer BVSS123 IXTP05 STE40 TN0106
VGS (th) (Max) @ Id 2.8V @ 1mA 4.5V @ 250µA 4V @ 250µA 2V @ 500µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6Ohm @ 100mA, 10V 17Ohm @ 375mA, 10V 130mOhm @ 20A, 10V 3Ohm @ 500mA, 10V
Supplier Device-Gehäuse SOT-23-3 (TO-236) TO-220-3 ISOTOP® TO-92-3
Verlustleistung (max) 225mW (Ta) 40W (Tc) 460W (Tc) 1W (Tc)
Paket Tape & Reel (TR) Tube Tube Tape & Reel (TR)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 20 pF @ 25 V 260 pF @ 25 V 11100 pF @ 25 V 60 pF @ 25 V
FET-Merkmal - - - -
Vgs (Max) ±20V ±30V ±30V ±20V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V 1000 V 600 V 60 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Befestigungsart Surface Mount Through Hole Chassis Mount Through Hole
Serie Automotive, AEC-Q101 - PowerMESH™ II -
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-220-3 ISOTOP TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 170mA (Ta) 750mA (Tc) 40A (Tc) 350mA (Tj)

BVSS123LT1G Datenblatt PDF

Laden Sie BVSS123LT1G PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für BVSS123LT1G - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
SOT23 27/Sep/2016.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev 24/Apr/2020.pdf
Datenblätter
BSS123LT1G, BVSS123LT1G.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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