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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelCPH6354-TL-H
CPH6354-TL-H Image
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

CPH6354-TL-H - onsemi

Hersteller Artikelnummer
CPH6354-TL-H
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-CPH6354-TL-H
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 60V 4A 6CPH
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SOT-23-6
Datenblatt
CPH6354.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4700

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Anzahl

Spezifikation

CPH6354-TL-H Tech -Spezifikationen
onsemi - CPH6354-TL-H Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - CPH6354-TL-H

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id -  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 6-CPH  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 2A, 10V  
Verlustleistung (max) 1.6W (Ta)  
Verpackung / Gehäuse SOT-23-6  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 600 pF @ 20 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14 nC @ 10 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4A (Ta)  
Grundproduktnummer CPH635  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi CPH6354-TL-H.

Produkteigenschaften CPH6354-TL-H CPH6350-P-TL-E CPH6355-TL-W CPH6347-TL-W
Artikelnummer CPH6354-TL-H CPH6350-P-TL-E CPH6355-TL-W CPH6347-TL-W
Hersteller onsemi onsemi onsemi onsemi
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 2A, 10V - 169mOhm @ 1.5A, 10V 39mOhm @ 3A, 4.5V
Verlustleistung (max) 1.6W (Ta) - 1.6W (Ta) 1.6W (Ta)
Befestigungsart Surface Mount - Surface Mount Surface Mount
VGS (th) (Max) @ Id - - 2.6V @ 1mA 1.4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14 nC @ 10 V - 3.9 nC @ 10 V 10.5 nC @ 4.5 V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 600 pF @ 20 V - 172 pF @ 10 V 860 pF @ 10 V
Serie - * - -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) - MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur 150°C (TJ) - 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Vgs (Max) ±20V - ±20V ±12V
Verpackung / Gehäuse SOT-23-6 - SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR)
FET-Merkmal - - - -
Grundproduktnummer CPH635 CPH635 - CPH6347
Supplier Device-Gehäuse 6-CPH - 6-CPH 6-CPH
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4A (Ta) - 3A (Ta) 6A (Ta)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V - 30 V 20 V
Typ FET P-Channel - P-Channel P-Channel
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V - 4V, 10V 1.8V, 4.5V

CPH6354-TL-H Datenblatt PDF

Laden Sie CPH6354-TL-H PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für CPH6354-TL-H - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Raw Material Change 22/Jul/2015.pdf Copper Wire Material 13/Oct/2014.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Wafer Fab Transfer 11/Aug/2014.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
EOL 23/Dec/2016.pdf
Datenblätter
CPH6354.pdf

Lieferung

Lieferzeit

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Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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  1. Telefon
    +00852 9146 4856

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CPH6354-TL-H

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32D-CPH6354-TL-H

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