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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-Bipolar (BJT)-einzeln, Pre-biasedDTC114EET1G
DTC114EET1G Image
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DTC114EET1G - onsemi

Hersteller Artikelnummer
DTC114EET1G
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-DTC114EET1G
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS PREBIAS NPN 50V 100MA SC75
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SC-75, SOT-416
Datenblatt
MUN(2,5)211, MMUN2211L, DTC114Exx, NSBC114EF3.pdf
RoHS Status
vorrätig: 1285350

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Anzahl

Spezifikation

DTC114EET1G Tech -Spezifikationen
onsemi - DTC114EET1G Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - DTC114EET1G

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50 V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA  
Transistor-Typ NPN - Pre-Biased  
Supplier Device-Gehäuse SC-75, SOT-416  
Serie -  
Widerstand - Emitterbasis (R2) 10 kOhms  
Widerstand - Basis (R1) 10 kOhms  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Leistung - max 200 mW  
Verpackung / Gehäuse SC-75, SOT-416  
Paket Tape & Reel (TR)  
Befestigungsart Surface Mount  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 35 @ 5mA, 10V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100 mA  
Grundproduktnummer DTC114  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi DTC114EET1G.

Produkteigenschaften DTC114EET1G DTC114EEFRATL DTC114EETL DTC114EET1
Artikelnummer DTC114EET1G DTC114EEFRATL DTC114EETL DTC114EET1
Hersteller onsemi Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor onsemi
Widerstand - Emitterbasis (R2) 10 kOhms 10 kOhms 10 kOhms -
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA 500nA 500nA -
Serie - Automotive, AEC-Q101 - -
Grundproduktnummer DTC114 DTC114 DTC114 DTC114
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount -
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50 V 50 V 50 V -
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 35 @ 5mA, 10V 30 @ 5mA, 5V 30 @ 5mA, 5V -
Widerstand - Basis (R1) 10 kOhms 10 kOhms 10 kOhms -
Transistor-Typ NPN - Pre-Biased NPN - Pre-Biased NPN - Pre-Biased -
Verpackung / Gehäuse SC-75, SOT-416 SC-75, SOT-416 SC-75, SOT-416 -
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk
Leistung - max 200 mW 150 mW 150 mW -
Supplier Device-Gehäuse SC-75, SOT-416 EMT3 EMT3 -
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100 mA 50 mA 50 mA -
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA 300mV @ 500nA, 10mA 300mV @ 500µA, 10mA -

DTC114EET1G Datenblatt PDF

Laden Sie DTC114EET1G PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für DTC114EET1G - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Copper Wire 29/Oct/2009.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Wafer Source Addition 26/Nov/2014.pdf
Datenblätter
MUN(2,5)211, MMUN2211L, DTC114Exx, NSBC114EF3.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
Die obige Tabelle dient nur als Referenz.Möglicherweise gibt es einige Datenverzerrungen für die unkontrollierbaren Faktoren.
Kontaktieren Sie uns, wenn Sie Fragen haben.

mögliche Zahlungsmitteln

Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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