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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-Bipolar (BJT)-einzeln, Pre-biasedDTC124EM3T5G
DTC124EM3T5G Image
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DTC124EM3T5G - onsemi

Hersteller Artikelnummer
DTC124EM3T5G
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-DTC124EM3T5G
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS PREBIAS NPN 50V SOT723
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SOT-723
Datenblatt
MUN(2,5)212, MMUN2212L, DTC1234Exx, NSBC124EF3.pdf
RoHS Status
vorrätig: 725150

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Spezifikation

DTC124EM3T5G Tech -Spezifikationen
onsemi - DTC124EM3T5G Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - DTC124EM3T5G

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50 V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA  
Transistor-Typ NPN - Pre-Biased  
Supplier Device-Gehäuse SOT-723  
Serie -  
Widerstand - Emitterbasis (R2) 22 kOhms  
Widerstand - Basis (R1) 22 kOhms  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Leistung - max 260 mW  
Verpackung / Gehäuse SOT-723  
Paket Tape & Reel (TR)  
Befestigungsart Surface Mount  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 60 @ 5mA, 10V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100 mA  
Grundproduktnummer DTC124  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi DTC124EM3T5G.

Produkteigenschaften DTC124EM3T5G DTC124EKAT146 DTC124EUA DTC124ESATP
Artikelnummer DTC124EM3T5G DTC124EKAT146 DTC124EUA DTC124ESATP
Hersteller onsemi Rohm Semiconductor Yangjie Technology Rohm Semiconductor
Leistung - max 260 mW 200 mW 200 mW 300 mW
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Through Hole
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100 mA 30 mA 100 mA 30 mA
Grundproduktnummer DTC124 DTC124 DTC124 DTC124
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA 300mV @ 500µA, 10mA 300mV @ 500µA, 10mA 300mV @ 500µA, 10mA
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 60 @ 5mA, 10V 56 @ 5mA, 5V 56 @ 5mA, 5V 56 @ 5mA, 5V
Serie - - - -
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Box (TB)
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50 V 50 V 50 V 50 V
Supplier Device-Gehäuse SOT-723 SMT3 SOT-323 SPT
Verpackung / Gehäuse SOT-723 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SC-70, SOT-323 SC-72 Formed Leads
Widerstand - Basis (R1) 22 kOhms 22 kOhms 22 kOhms 22 kOhms
Widerstand - Emitterbasis (R2) 22 kOhms 22 kOhms - 22 kOhms
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA 500nA 500nA 500nA
Transistor-Typ NPN - Pre-Biased NPN - Pre-Biased NPN - Pre-Biased + Diode NPN - Pre-Biased

DTC124EM3T5G Datenblatt PDF

Laden Sie DTC124EM3T5G PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für DTC124EM3T5G - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Copper Wire 19/May/2010.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Wafer Source Addition 26/Nov/2014.pdf
Datenblätter
MUN(2,5)212, MMUN2212L, DTC1234Exx, NSBC124EF3.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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