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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysECH8651R-TL-H
ECH8651R-TL-H Image
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

ECH8651R-TL-H - onsemi

Hersteller Artikelnummer
ECH8651R-TL-H
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-ECH8651R-TL-H
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2N-CH 24V 10A ECH8
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SMD, Flat Lead
Datenblatt
ECH8651R-TL-H.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4990

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Anzahl

Spezifikation

ECH8651R-TL-H Tech -Spezifikationen
onsemi - ECH8651R-TL-H Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - ECH8651R-TL-H

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id -  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-ECH  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14mOhm @ 5A, 4.5V  
Leistung - max 1.5W  
Verpackung / Gehäuse 8-SMD, Flat Lead  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds -  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 24nC @ 10V  
FET-Merkmal Logic Level Gate  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 24V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 10A  
Konfiguration 2 N-Channel (Dual)  
Grundproduktnummer ECH8651  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi ECH8651R-TL-H.

Produkteigenschaften ECH8651R-TL-H ECH8652-TL-H ECH8649-TL-H ECH8651R-TL-HX
Artikelnummer ECH8651R-TL-H ECH8652-TL-H ECH8649-TL-H ECH8651R-TL-HX
Hersteller onsemi onsemi onsemi onsemi
Grundproduktnummer ECH8651 ECH8652 ECH8649 ECH8651
Betriebstemperatur 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Leistung - max 1.5W 1.5W 1.5W 1.5W
FET-Merkmal Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14mOhm @ 5A, 4.5V 28mOhm @ 3A, 4.5V 17mOhm @ 4A, 4.5V 14mOhm @ 5A, 4.5V
Serie - - - -
Konfiguration 2 N-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 24V 12V 20V 24V
Verpackung / Gehäuse 8-SMD, Flat Lead 8-SMD, Flat Lead 8-SMD, Flat Lead 8-SMD, Flat Lead
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 24nC @ 10V 11nC @ 4.5V 10.8nC @ 4.5V 24nC @ 10V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
VGS (th) (Max) @ Id - - - -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 10A 6A 7.5A 10A
Supplier Device-Gehäuse 8-ECH 8-ECH 8-ECH 8-ECH
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds - 1000pF @ 6V 1060pF @ 10V -

ECH8651R-TL-H Datenblatt PDF

Laden Sie ECH8651R-TL-H PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für ECH8651R-TL-H - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi RoHS.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Devices 28/Apr/2017.pdf

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Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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ECH8651R-TL-H

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