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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysEFC2J013NUZTDG
onsemi
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EFC2J013NUZTDG - onsemi

Hersteller Artikelnummer
EFC2J013NUZTDG
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-EFC2J013NUZTDG
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 12V 17A WLCSP6 DUAL
detaillierte Beschreibung
Verpackung
6-SMD, No Lead
Datenblatt
EFC2J013NUZ.pdf
RoHS Status
vorrätig: 199840

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Anzahl

Spezifikation

EFC2J013NUZTDG Tech -Spezifikationen
onsemi - EFC2J013NUZTDG Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - EFC2J013NUZTDG

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 1.3V @ 1mA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 6-WLCSP (2x1.49)  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs -  
Leistung - max 1.8W (Ta)  
Verpackung / Gehäuse 6-SMD, No Lead  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds -  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 37nC @ 4.5V  
FET-Merkmal -  
Drain-Source-Spannung (Vdss) -  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C -  
Konfiguration 2 N-Channel (Dual) Common Drain  
Grundproduktnummer EFC2J013  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi EFC2J013NUZTDG.

Produkteigenschaften EFC2J013NUZTDG EFC2J004NUZTDG EFC4612R-S-TR EFC2K102ANUZTDG
Artikelnummer EFC2J013NUZTDG EFC2J004NUZTDG EFC4612R-S-TR EFC2K102ANUZTDG
Hersteller onsemi onsemi onsemi onsemi
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR)
Grundproduktnummer EFC2J013 EFC2J004 - EFC2K102
FET-Merkmal - - - -
Drain-Source-Spannung (Vdss) - - - 12V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds - - - -
VGS (th) (Max) @ Id 1.3V @ 1mA - - 1.3V @ 1mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs - - - 2.75mOhm @ 5A, 4.5V
Konfiguration 2 N-Channel (Dual) Common Drain - 2 N-Channel 2 N-Channel (Dual)
Befestigungsart Surface Mount - Surface Mount Surface Mount
Serie - - - -
Betriebstemperatur 150°C (TJ) - 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Leistung - max 1.8W (Ta) - - 3.1W (Ta)
Supplier Device-Gehäuse 6-WLCSP (2x1.49) - EFCP1313-4CC-037 10-WLCSP (2.98x1.49)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) - - MOSFET (Metal Oxide)
Verpackung / Gehäuse 6-SMD, No Lead - 4-XFBGA 10-SMD, No Lead
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 37nC @ 4.5V - - 42nC @ 3.8V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C - - - 33A (Ta)

EFC2J013NUZTDG Datenblatt PDF

Laden Sie EFC2J013NUZTDG PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für EFC2J013NUZTDG - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Datenblätter
EFC2J013NUZ.pdf

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Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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