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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysEFC6612R-TF
onsemi
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EFC6612R-TF - onsemi

Hersteller Artikelnummer
EFC6612R-TF
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-EFC6612R-TF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2N-CH 20V 23A EFCP
detaillierte Beschreibung
Verpackung
6-SMD, No Lead
Datenblatt
EFC6612R.pdf
RoHS Status
vorrätig: 107380

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Anzahl

Spezifikation

EFC6612R-TF Tech -Spezifikationen
onsemi - EFC6612R-TF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - EFC6612R-TF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id -  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 6-CSP (1.77x3.54)  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs -  
Leistung - max 2.5W  
Verpackung / Gehäuse 6-SMD, No Lead  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds -  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 27nC @ 4.5V  
FET-Merkmal Logic Level Gate, 2.5V Drive  
Drain-Source-Spannung (Vdss) -  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C -  
Konfiguration 2 N-Channel (Dual) Common Drain  
Grundproduktnummer EFC6612  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi EFC6612R-TF.

Produkteigenschaften EFC6612R-TF EFC6617R-A-TF EFC8811R-TF EFC6605R-V-TR
Artikelnummer EFC6612R-TF EFC6617R-A-TF EFC8811R-TF EFC6605R-V-TR
Hersteller onsemi onsemi onsemi onsemi
Grundproduktnummer EFC6612 EFC6617 EFC8811 EFC6605
Rds On (Max) @ Id, Vgs - - - 13.3mOhm @ 3A, 4.5V
Befestigungsart Surface Mount - Surface Mount Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 27nC @ 4.5V - - 19.8nC @ 4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss) - - - 20V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds - - - -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C - - - 10A (Ta)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) - MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
VGS (th) (Max) @ Id - - - 1.3V @ 1mA
Supplier Device-Gehäuse 6-CSP (1.77x3.54) - 6-CSP (1.77x3.54) 6-EFCP (1.9x1.46)
FET-Merkmal Logic Level Gate, 2.5V Drive - Logic Level Gate, 2.5V Drive Logic Level Gate, 2.5V Drive
Serie - * - -
Verpackung / Gehäuse 6-SMD, No Lead - 6-SMD, No Lead 6-SMD, No Lead
Leistung - max 2.5W - 2.5W 1.6W (Ta)
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur 150°C (TJ) - 150°C (TJ) 150°C
Konfiguration 2 N-Channel (Dual) Common Drain - 2 N-Channel (Dual) Common Drain 2 N-Channel

EFC6612R-TF Datenblatt PDF

Laden Sie EFC6612R-TF PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für EFC6612R-TF - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Datenblätter
EFC6612R.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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