Spezifikation
EMT1DXV6T1G Tech -Spezifikationen
onsemi - EMT1DXV6T1G Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - EMT1DXV6T1G
| Produkteigenschaften |
Eigenschaften
| |
| Hersteller |
onsemi |
|
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) |
60V |
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| VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic |
500mV @ 5mA, 50mA |
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| Transistor-Typ |
2 PNP (Dual) |
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| Supplier Device-Gehäuse |
SOT-563 |
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| Serie |
- |
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| Leistung - max |
500mW |
|
| Verpackung / Gehäuse |
SOT-563, SOT-666 |
|
| Produkteigenschaften |
Eigenschaften
| |
| Paket |
Tape & Reel (TR) |
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| Betriebstemperatur |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
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| Befestigungsart |
Surface Mount |
|
| Frequenz - Übergang |
140MHz |
|
| DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE |
120 @ 1mA, 6V |
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| Strom - Collector Cutoff (Max) |
500nA (ICBO) |
|
| Strom - Kollektor (Ic) (max) |
100mA |
|
| Grundproduktnummer |
EMT1DXV6 |
|
Lieferung
Lieferzeit
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(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)
Versandart
- Globale gemeinsame Versand von DHL / UPS / FEDEX / TNT / EMS / SF, die wir unterstützen.
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| Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder |
| Region |
Land |
Logistische Zeit (Tag) |
| Amerika |
Vereinigte Staaten |
5 |
| Brasilien |
7 |
| Europa |
Deutschland |
5 |
| Großbritannien |
4 |
| Italien |
5 |
| Ozeanien |
Australien |
6 |
| Neuseeland |
5 |
| Asien |
Indien |
4 |
| Japan |
4 |
| Naher Osten |
Israel |
6 |
| DHL & FedEx -Versandkosten Referenz |
| Versandkosten (KG) |
Referenz DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg |
USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg |
USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg |
USD$50.00 - USD$100.00 |
- Notiz:
- Die obige Tabelle dient nur als Referenz.Möglicherweise gibt es einige Datenverzerrungen für die unkontrollierbaren Faktoren.
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EMTF07-04(A50L-5000-0025)Fujitsu Electronics America, Inc.IGBT Module
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EMTF07-04FUJIIGBT Module
EMT1G1T2RTAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora