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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFCA20N60F
FCA20N60F Image
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FCA20N60F - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FCA20N60F
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FCA20N60F
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 20A TO3PN
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-3P-3, SC-65-3
Datenblatt
FCA20N60F.pdf
RoHS Status
vorrätig: 11554

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Anzahl

Spezifikation

FCA20N60F Tech -Spezifikationen
onsemi - FCA20N60F Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FCA20N60F

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-3PN  
Serie SuperFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 190mOhm @ 10A, 10V  
Verlustleistung (max) 208W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-3P-3, SC-65-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3080 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 98 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 20A (Tc)  
Grundproduktnummer FCA20N60  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FCA20N60F.

Produkteigenschaften FCA20N60F FCA20N60 FCA16N60 FCA22N60N
Artikelnummer FCA20N60F FCA20N60 FCA16N60 FCA22N60N
Hersteller onsemi Fairchild Semiconductor onsemi onsemi
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA 4V @ 250µA
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Rds On (Max) @ Id, Vgs 190mOhm @ 10A, 10V 190mOhm @ 10A, 10V 260mOhm @ 8A, 10V 165mOhm @ 11A, 10V
Paket Tube Bulk Tube Tube
Grundproduktnummer FCA20N60 FCA20 FCA16 FCA22N60
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Supplier Device-Gehäuse TO-3PN TO-3PN TO-3PN TO-3PN
Verpackung / Gehäuse TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3, SC-65-3
Serie SuperFET™ SuperFET™ SuperFET™ SupreMOS™
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3080 pF @ 25 V 3080 pF @ 25 V 2250 pF @ 25 V 1950 pF @ 100 V
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 20A (Tc) 20A (Tc) 16A (Tc) 22A (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
FET-Merkmal - - - -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Verlustleistung (max) 208W (Tc) 208W (Tc) 167W (Tc) 205W (Tc)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 98 nC @ 10 V 98 nC @ 10 V 70 nC @ 10 V 45 nC @ 10 V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V 600 V 600 V 600 V

FCA20N60F Datenblatt PDF

Laden Sie FCA20N60F PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FCA20N60F - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Logo 17/Aug/2017.pdf Dimension/Color Change 24/Feb/2021.pdf
PCN -Verpackung
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Packing quantity increase 28/Dec/2020.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Assembly/Test Site 14/Dec/2022.pdf
Datenblätter
FCA20N60F.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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