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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFCH20N60
onsemi
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FCH20N60 - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FCH20N60
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FCH20N60
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 20A TO247-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-247-3
Datenblatt
FCH20N60, FCA20N60(_F109).pdf
vorrätig: 4820

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Anzahl

Spezifikation

FCH20N60 Tech -Spezifikationen
onsemi - FCH20N60 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FCH20N60

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-247-3  
Serie SuperFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 190mOhm @ 10A, 10V  
Verlustleistung (max) 208W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-247-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3080 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 98 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 20A (Tc)  
Grundproduktnummer FCH20  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FCH20N60.

Produkteigenschaften FCH20N60 FCH20N60 FCH25N60N FCH25N60N
Artikelnummer FCH20N60 FCH20N60 FCH25N60N FCH25N60N
Hersteller onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor onsemi
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 20A (Tc) 20A (Tc) 25A (Tc) 25A (Tc)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Grundproduktnummer FCH20 - - FCH25N60
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3080 pF @ 25 V 3080 pF @ 25 V 3352 pF @ 100 V 3352 pF @ 100 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V 600 V 600 V 600 V
Serie SuperFET™ SuperFET™ SupreMOS™ SupreMOS™
FET-Merkmal - - - -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 98 nC @ 10 V 98 nC @ 10 V 74 nC @ 10 V 74 nC @ 10 V
Paket Tube Tube Bulk Tube
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Verlustleistung (max) 208W (Tc) 208W (Tc) 216W (Tc) 216W (Tc)
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 190mOhm @ 10A, 10V 190mOhm @ 10A, 10V 126mOhm @ 12.5A, 10V 126mOhm @ 12.5A, 10V
Supplier Device-Gehäuse TO-247-3 TO-247 TO-247 TO-247-3
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Verpackung / Gehäuse TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 5V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole

FCH20N60 Datenblatt PDF

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Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Datenblätter
FCH20N60, FCA20N60(_F109).pdf

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(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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