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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFCH47N60N
onsemi
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FCH47N60N - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FCH47N60N
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FCH47N60N
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 47A TO247-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-247-3
Datenblatt
FCH47N60N.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4900

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Anzahl

Spezifikation

FCH47N60N Tech -Spezifikationen
onsemi - FCH47N60N Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FCH47N60N

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-247-3  
Serie SupreMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 62mOhm @ 23.5A, 10V  
Verlustleistung (max) 368W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-247-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 6700 pF @ 100 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 151 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 47A (Tc)  
Grundproduktnummer FCH47N60  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FCH47N60N.

Produkteigenschaften FCH47N60N FCH47N60F-F133 FCH76N60NF FCH76N60N
Artikelnummer FCH47N60N FCH47N60F-F133 FCH76N60NF FCH76N60N
Hersteller onsemi onsemi Fairchild Semiconductor onsemi
Paket Tube Tube Bulk Tube
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 151 nC @ 10 V 270 nC @ 10 V 300 nC @ 10 V 285 nC @ 10 V
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA 4V @ 250µA
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 6700 pF @ 100 V 8000 pF @ 25 V 11045 pF @ 100 V 12385 pF @ 100 V
Supplier Device-Gehäuse TO-247-3 TO-247-3 TO-247 TO-247-3
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
FET-Merkmal - - - -
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
Serie SupreMOS™ SuperFET™ SupreMOS™ SupreMOS™
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 47A (Tc) 47A (Tc) 72.8A (Tc) 76A (Tc)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Grundproduktnummer FCH47N60 FCH47N60 - FCH76N60
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Verpackung / Gehäuse TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V 600 V 600 V 600 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 62mOhm @ 23.5A, 10V 70mOhm @ 23.5A, 10V 38mOhm @ 38A, 10V 36mOhm @ 38A, 10V
Verlustleistung (max) 368W (Tc) 417W (Tc) 543W (Tc) 543W (Tc)

FCH47N60N Datenblatt PDF

Laden Sie FCH47N60N PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FCH47N60N - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Logo 17/Aug/2017.pdf Dimension/Color Change 24/Feb/2021.pdf
PCN -Verpackung
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Packing quantity increase 28/Dec/2020.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Dev EOL 29/Mar/2022.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mold Compound Change 17/Dec/2021.pdf
Datenblätter
FCH47N60N.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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