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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFCI7N60
onsemi
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

FCI7N60 - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FCI7N60
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FCI7N60
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 7A I2PAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Datenblatt
FCI7N60.pdf
RoHS Status
vorrätig: 28989

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Anzahl

Spezifikation

FCI7N60 Tech -Spezifikationen
onsemi - FCI7N60 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FCI7N60

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse I2PAK (TO-262)  
Serie SuperFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 600mOhm @ 3.5A, 10V  
Verlustleistung (max) 83W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 920 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 7A (Tc)  
Grundproduktnummer FCI7  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FCI7N60.

Produkteigenschaften FCI7N60 FCI7N60 FCI3216V-47N FCI3225-1R0K
Artikelnummer FCI7N60 FCI7N60 FCI3216V-47N FCI3225-1R0K
Hersteller onsemi Fairchild Semiconductor TAI-TECH SMD Sensors
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) - -
Grundproduktnummer FCI7 - - -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V 600 V - -
FET-Merkmal - - - -
Befestigungsart Through Hole Through Hole - -
Supplier Device-Gehäuse I2PAK (TO-262) I2PAK (TO-262) - -
Vgs (Max) ±30V ±30V - -
Serie SuperFET™ SuperFET™ - -
Verlustleistung (max) 83W (Tc) 83W (Tc) - -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30 nC @ 10 V 30 nC @ 10 V - -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 920 pF @ 25 V 920 pF @ 25 V - -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) - -
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 5V @ 250µA - -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 600mOhm @ 3.5A, 10V 600mOhm @ 3.5A, 10V - -
Verpackung / Gehäuse TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA - -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 7A (Tc) 7A (Tc) - -
Typ FET N-Channel N-Channel - -
Paket Tube Bulk - -

FCI7N60 Datenblatt PDF

Laden Sie FCI7N60 PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FCI7N60 - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Logo 17/Aug/2017.pdf
PCN -Verpackung
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Assembly Change 09/May/2023.pdf
Datenblätter
FCI7N60.pdf

Lieferung

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Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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