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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFCP125N60E
FCP125N60E Image
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FCP125N60E - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FCP125N60E
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FCP125N60E
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 29A TO220-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3
Datenblatt
FCP125N60E.pdf
RoHS Status
vorrätig: 10910

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Anzahl

Spezifikation

FCP125N60E Tech -Spezifikationen
onsemi - FCP125N60E Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FCP125N60E

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 3.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220-3  
Serie SuperFET® II  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 125mOhm @ 14.5A, 10V  
Verlustleistung (max) 278W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2990 pF @ 380 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 95 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 29A (Tc)  
Grundproduktnummer FCP125  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FCP125N60E.

Produkteigenschaften FCP125N60E FCP11N60N FCP130N60 FCP11N60N
Artikelnummer FCP125N60E FCP11N60N FCP130N60 FCP11N60N
Hersteller onsemi Fairchild Semiconductor onsemi onsemi
VGS (th) (Max) @ Id 3.5V @ 250µA 4V @ 250µA 3.5V @ 250µA 4V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2990 pF @ 380 V 1505 pF @ 100 V 3590 pF @ 380 V 1505 pF @ 100 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 29A (Tc) 10.8A (Tc) 28A (Tc) 10.8A (Tc)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V 600 V 600 V 600 V
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Supplier Device-Gehäuse TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Grundproduktnummer FCP125 - FCP130 FCP11
Paket Tube Bulk Tube Tube
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
FET-Merkmal - - - -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Verlustleistung (max) 278W (Tc) 94W (Tc) 278W (Tc) 94W (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Vgs (Max) ±20V ±30V ±20V ±30V
Serie SuperFET® II SupreMOS™ SuperFET® II SupreMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 125mOhm @ 14.5A, 10V 299mOhm @ 5.4A, 10V 130mOhm @ 14A, 10V 299mOhm @ 5.4A, 10V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 95 nC @ 10 V 35.6 nC @ 10 V 70 nC @ 10 V 35.6 nC @ 10 V

FCP125N60E Datenblatt PDF

Laden Sie FCP125N60E PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FCP125N60E - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Logo 17/Aug/2017.pdf
PCN -Verpackung
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev Mold Chg 28/Oct/2019.pdf
Datenblätter
FCP125N60E.pdf

Lieferung

Lieferzeit

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(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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