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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFCP400N80Z
FCP400N80Z Image
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FCP400N80Z - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FCP400N80Z
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FCP400N80Z
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 800V 14A TO220-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3
Datenblatt
FCP400N80Z.pdf
RoHS Status
vorrätig: 21234

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Anzahl

Spezifikation

FCP400N80Z Tech -Spezifikationen
onsemi - FCP400N80Z Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FCP400N80Z

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 1.1mA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220-3  
Serie SuperFET® II  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 400mOhm @ 5.5A, 10V  
Verlustleistung (max) 195W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2350 pF @ 1000 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 56 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 800 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 14A (Tc)  
Grundproduktnummer FCP400  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FCP400N80Z.

Produkteigenschaften FCP400N80Z FCP7N60 FCP290N80 FCP4N60
Artikelnummer FCP400N80Z FCP7N60 FCP290N80 FCP4N60
Hersteller onsemi onsemi onsemi Fairchild Semiconductor
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 14A (Tc) 7A (Tc) 17A (Tc) 3.9A (Tc)
Verlustleistung (max) 195W (Tc) 83W (Tc) 212W (Tc) 50W (Tc)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 56 nC @ 10 V 30 nC @ 10 V 75 nC @ 10 V 16.6 nC @ 10 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
FET-Merkmal - - - -
Vgs (Max) ±20V ±30V ±20V ±30V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2350 pF @ 1000 V 920 pF @ 25 V 3205 pF @ 100 V 540 pF @ 25 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Paket Tube Tube Tube Bulk
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 1.1mA 5V @ 250µA 4.5V @ 1.7mA 5V @ 250µA
Serie SuperFET® II SuperFET™ SuperFET® II SuperFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 400mOhm @ 5.5A, 10V 600mOhm @ 3.5A, 10V 290mOhm @ 8.5A, 10V 1.2Ohm @ 2A, 10V
Supplier Device-Gehäuse TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Drain-Source-Spannung (Vdss) 800 V 600 V 800 V 600 V
Grundproduktnummer FCP400 FCP7 FCP290 -
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole

FCP400N80Z Datenblatt PDF

Laden Sie FCP400N80Z PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FCP400N80Z - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Logo 17/Aug/2017.pdf Description Chg 03/Feb/2016.pdf
PCN -Verpackung
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Assembly Change 09/May/2023.pdf
Datenblätter
FCP400N80Z.pdf

Lieferung

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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