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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFCPF067N65S3
FCPF067N65S3 Image
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FCPF067N65S3 - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FCPF067N65S3
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FCPF067N65S3
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 44A TO220F
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3 Full Pack
Datenblatt
FCPF067N65S3.pdf
RoHS Status
vorrätig: 8181

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Anzahl

Spezifikation

FCPF067N65S3 Tech -Spezifikationen
onsemi - FCPF067N65S3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FCPF067N65S3

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 4.4mA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220F-3  
Serie SuperFET® III  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 67mOhm @ 22A, 10V  
Verlustleistung (max) 46W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3090 pF @ 400 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 78 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 44A (Tc)  
Grundproduktnummer FCPF067  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FCPF067N65S3.

Produkteigenschaften FCPF067N65S3 FCP600N60Z FCPF11N60T FCP4N60
Artikelnummer FCPF067N65S3 FCP600N60Z FCPF11N60T FCP4N60
Hersteller onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor onsemi
Serie SuperFET® III SuperFET® II SuperFET™ SuperFET™
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 78 nC @ 10 V 26 nC @ 10 V 52 nC @ 10 V 16.6 nC @ 10 V
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Rds On (Max) @ Id, Vgs 67mOhm @ 22A, 10V 600mOhm @ 3.7A, 10V 380mOhm @ 5.5A, 10V 1.2Ohm @ 2A, 10V
Grundproduktnummer FCPF067 - FCPF11 FCP4
Verlustleistung (max) 46W (Tc) 89W (Tc) 36W (Tc) 50W (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 44A (Tc) 7.4A (Tc) 11A (Tc) 3.9A (Tc)
FET-Merkmal - - - -
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack TO-220-3 TO-220-3 Full Pack TO-220-3
Paket Tube Bulk Bulk Tube
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 4.4mA 3.5V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V 600 V 600 V 600 V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3090 pF @ 400 V 1120 pF @ 25 V 1490 pF @ 25 V 540 pF @ 25 V
Vgs (Max) ±30V ±20V ±30V ±30V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse TO-220F-3 TO-220-3 TO-220F TO-220-3

FCPF067N65S3 Datenblatt PDF

Laden Sie FCPF067N65S3 PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FCPF067N65S3 - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Logo 17/Aug/2017.pdf FCB0 19/Jul/2016.pdf
PCN -Verpackung
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Assembly/Test Site 14/Dec/2022.pdf
Datenblätter
FCPF067N65S3.pdf

Lieferung

Lieferzeit

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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    +00852 9146 4856

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