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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFCPF260N65FL1
FCPF260N65FL1 Image
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

FCPF260N65FL1 - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FCPF260N65FL1
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FCPF260N65FL1
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 15A TO220F
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3 Full Pack
Datenblatt
FCPF260N65FL1.pdf
RoHS Status
vorrätig: 5110

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Anzahl

Spezifikation

FCPF260N65FL1 Tech -Spezifikationen
onsemi - FCPF260N65FL1 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FCPF260N65FL1

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 1.5mA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220F-3  
Serie FRFET®, SuperFET® II  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 260mOhm @ 7.5A, 10V  
Verlustleistung (max) 36W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2340 pF @ 100 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 60 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 15A (Tc)  
Grundproduktnummer FCPF260  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FCPF260N65FL1.

Produkteigenschaften FCPF260N65FL1 FCPF22N60NT FCPF250N65S3L1 FCPF260N65FL1
Artikelnummer FCPF260N65FL1 FCPF22N60NT FCPF250N65S3L1 FCPF260N65FL1
Hersteller onsemi onsemi onsemi Fairchild Semiconductor
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack
Vgs (Max) ±20V ±45V ±30V ±20V
Grundproduktnummer FCPF260 FCPF22 FCPF250 -
Supplier Device-Gehäuse TO-220F-3 TO-220F-3 TO-220F-3 TO-220F-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 260mOhm @ 7.5A, 10V 165mOhm @ 11A, 10V 250mOhm @ 6A, 10V 260mOhm @ 7.5A, 10V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Paket Tube Tube Tube Bulk
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V 600 V 650 V 650 V
Verlustleistung (max) 36W (Tc) 39W (Tc) 31W (Tc) 36W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Serie FRFET®, SuperFET® II SupreMOS™ SuperFET® III FRFET®, SuperFET® II
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 15A (Tc) 22A (Tc) 12A (Tc) 15A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 1.5mA 4V @ 250µA 4.5V @ 1.2mA 5V @ 1.5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 60 nC @ 10 V 45 nC @ 10 V 24 nC @ 10 V 60 nC @ 10 V
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
FET-Merkmal - - - -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2340 pF @ 100 V 1950 pF @ 100 V 1010 pF @ 400 V 2340 pF @ 100 V

FCPF260N65FL1 Datenblatt PDF

Laden Sie FCPF260N65FL1 PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FCPF260N65FL1 - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Logo 17/Aug/2017.pdf
PCN -Verpackung
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev Assembly Chg 14/Feb/2020.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Dev EOL 13/Nov/2020.pdf
Datenblätter
FCPF260N65FL1.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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