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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFCPF400N80ZL1
FCPF400N80ZL1 Image
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

FCPF400N80ZL1 - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FCPF400N80ZL1
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FCPF400N80ZL1
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 800V 11A TO220F
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3 Full Pack
Datenblatt
FCPF400N80ZL1.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4120

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Anzahl

Spezifikation

FCPF400N80ZL1 Tech -Spezifikationen
onsemi - FCPF400N80ZL1 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FCPF400N80ZL1

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 1.1mA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220F-3  
Serie SuperFET® II  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 400mOhm @ 5.5A, 10V  
Verlustleistung (max) 35.7W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2350 pF @ 100 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 56 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 800 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 11A (Tc)  
Grundproduktnummer FCPF400  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FCPF400N80ZL1.

Produkteigenschaften FCPF400N80ZL1 FCPF4300N80Z FCPF600N65S3R0L FCPF400N80Z
Artikelnummer FCPF400N80ZL1 FCPF4300N80Z FCPF600N65S3R0L FCPF400N80Z
Hersteller onsemi onsemi onsemi onsemi
Paket Tube Tube Tube Tube
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2350 pF @ 100 V 355 pF @ 100 V 465 pF @ 400 V 2350 pF @ 100 V
Verlustleistung (max) 35.7W (Tc) 19.2W (Tc) 24W (Tc) 35.7W (Tc)
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 1.1mA 4.5V @ 160µA 4.5V @ 600µA 4.5V @ 1.1mA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Grundproduktnummer FCPF400 FCPF4300 FCPF600 FCPF400
Supplier Device-Gehäuse TO-220F-3 TO-220F-3 TO-220F-3 TO-220F-3
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±30V ±20V
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack
Drain-Source-Spannung (Vdss) 800 V 800 V 650 V 800 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 400mOhm @ 5.5A, 10V 4.3Ohm @ 800mA, 10V 600mOhm @ 3A, 10V 400mOhm @ 5.5A, 10V
FET-Merkmal - - - -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 11A (Tc) 1.6A (Tc) 6A (Tc) 11A (Tc)
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 56 nC @ 10 V 8.8 nC @ 10 V 11 nC @ 10 V 56 nC @ 10 V
Serie SuperFET® II SuperFET® II SuperFET® III SuperFET® II

FCPF400N80ZL1 Datenblatt PDF

Laden Sie FCPF400N80ZL1 PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FCPF400N80ZL1 - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Logo 17/Aug/2017.pdf Description Chg 03/Feb/2016.pdf
PCN -Verpackung
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev Assembly Chg 14/Feb/2020.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Dev EOL 13/Nov/2020.pdf
Datenblätter
FCPF400N80ZL1.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
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Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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