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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFDA50N50
onsemi
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

FDA50N50 - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FDA50N50
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FDA50N50
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-3P-3, SC-65-3
Datenblatt
FDA50N50.pdf
vorrätig: 3720

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Anzahl

Spezifikation

FDA50N50 Tech -Spezifikationen
onsemi - FDA50N50 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FDA50N50

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-3PN  
Serie UniFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 105mOhm @ 24A, 10V  
Verlustleistung (max) 625W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-3P-3, SC-65-3  
Paket Bulk  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 6460 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 137 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 48A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FDA50N50.

Produkteigenschaften FDA50N50 FDA38N30 FDA62N28 FDA59N30
Artikelnummer FDA50N50 FDA38N30 FDA62N28 FDA59N30
Hersteller onsemi Fairchild Semiconductor onsemi Fairchild Semiconductor
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 137 nC @ 10 V 60 nC @ 10 V 100 nC @ 10 V 100 nC @ 10 V
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Paket Bulk Bulk Tube Bulk
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 6460 pF @ 25 V 2600 pF @ 25 V 4630 pF @ 25 V 4670 pF @ 25 V
FET-Merkmal - - - -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V ±30V ±30V ±30V
Supplier Device-Gehäuse TO-3PN TO-3PN TO-3PN TO-3PN
Verlustleistung (max) 625W (Tc) 312W (Tc) 500W (Tc) 500W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500 V 300 V 280 V 300 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 48A (Tc) 38A (Tc) 62A (Tc) 59A (Tc)
Verpackung / Gehäuse TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3, SC-65-3
Serie UniFET™ UniFET™ UniFET™ UniFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 105mOhm @ 24A, 10V 85mOhm @ 19A, 10V 51mOhm @ 31A, 10V 56mOhm @ 29.5A, 10V

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Lieferzeit

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Versandkosten

  1. Verwenden Sie Ihr Expresskonto für den Versand, wenn Sie einen haben.
  2. Verwenden Sie unser Konto für die Sendung.In der folgenden Tabelle finden Sie die ungefähren Gebühren.
(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

  1. Globale gemeinsame Versand von DHL / UPS / FEDEX / TNT / EMS / SF, die wir unterstützen.
  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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