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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFDB0105N407L
FDB0105N407L Image
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

FDB0105N407L - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FDB0105N407L
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FDB0105N407L
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 40V 460A TO263-7
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Datenblatt
FDB0105N407L Datasheet.pdf
RoHS Status
vorrätig: 8701

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Anzahl

Spezifikation

FDB0105N407L Tech -Spezifikationen
onsemi - FDB0105N407L Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FDB0105N407L

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-263-7  
Serie PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 0.8mOhm @ 50A, 10V  
Verlustleistung (max) 3.8W (Ta), 300W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 23100 pF @ 20 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 291 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 460A (Tc)  
Grundproduktnummer FDB0105  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FDB0105N407L.

Produkteigenschaften FDB0105N407L FDB0165N807L FDB024N06 FDB031N08
Artikelnummer FDB0105N407L FDB0165N807L FDB024N06 FDB031N08
Hersteller onsemi onsemi onsemi onsemi
Rds On (Max) @ Id, Vgs 0.8mOhm @ 50A, 10V 1.6mOhm @ 36A, 10V 2.4mOhm @ 75A, 10V 3.1mOhm @ 75A, 10V
Supplier Device-Gehäuse TO-263-7 TO-263-7 D²PAK (TO-263) D²PAK (TO-263)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 23100 pF @ 20 V 23660 pF @ 40 V 14885 pF @ 25 V 15160 pF @ 25 V
Verpackung / Gehäuse TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Verlustleistung (max) 3.8W (Ta), 300W (Tc) 3.8W (Ta), 300W (Tc) 395W (Tc) 375W (Tc)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V 10V 10V 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V 80 V 60 V 75 V
Grundproduktnummer FDB0105 FDB0165 FDB024 FDB031
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 460A (Tc) 310A (Tc) 120A (Tc) 120A (Tc)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Serie PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4.5V @ 250µA 4.5V @ 250µA
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 291 nC @ 10 V 304 nC @ 10 V 226 nC @ 10 V 220 nC @ 10 V
FET-Merkmal - - - -
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)

FDB0105N407L Datenblatt PDF

Laden Sie FDB0105N407L PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FDB0105N407L - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Logo 17/Aug/2017.pdf Description Chg 01/Apr/2016.pdf
PCN -Verpackung
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf TO263 31/Aug/2016.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Assembly Change 09/May/2023.pdf
Datenblätter
FDB0105N407L Datasheet.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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