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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFDB047N10
FDB047N10 Image
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FDB047N10 - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FDB047N10
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FDB047N10
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datenblatt
FDB047N10.pdf
RoHS Status
vorrätig: 15265

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Anzahl

Spezifikation

FDB047N10 Tech -Spezifikationen
onsemi - FDB047N10 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FDB047N10

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse D²PAK (TO-263)  
Serie PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.7mOhm @ 75A, 10V  
Verlustleistung (max) 375W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 15265 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 210 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 120A (Tc)  
Grundproduktnummer FDB047  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FDB047N10.

Produkteigenschaften FDB047N10 FDB060AN08A0 FDB050AN06A0 FDB047N10
Artikelnummer FDB047N10 FDB060AN08A0 FDB050AN06A0 FDB047N10
Hersteller onsemi onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 6V, 10V 6V, 10V 10V
Supplier Device-Gehäuse D²PAK (TO-263) D²PAK (TO-263) D2PAK (TO-263) D2PAK (TO-263)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 210 nC @ 10 V 95 nC @ 10 V 80 nC @ 10 V 210 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 120A (Tc) 16A (Ta), 80A (Tc) 18A (Ta), 80A (Tc) 120A (Tc)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk Bulk
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V 75 V 60 V 100 V
Grundproduktnummer FDB047 FDB060 - -
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 15265 pF @ 25 V 5150 pF @ 25 V 3900 pF @ 25 V 15265 pF @ 25 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.7mOhm @ 75A, 10V 6mOhm @ 80A, 10V 5mOhm @ 80A, 10V 4.7mOhm @ 75A, 10V
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4.5V @ 250µA
Serie PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®
FET-Merkmal - - - -
Verlustleistung (max) 375W (Tc) 255W (Tc) 245W (Tc) 375W (Tc)

FDB047N10 Datenblatt PDF

Laden Sie FDB047N10 PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FDB047N10 - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi RoHS.pdf
PCN -Verpackung
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf TO263 31/Aug/2016.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Description Chg 01/Apr/2016.pdf SOA curve 01/Jul/2013.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Assembly Change 09/May/2023.pdf

Lieferung

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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